PWM 80V 25A

[Daniel Valuch]

Je tam viacero dovodov.

Jeden je obmedzenie spickoveho prudu do gate pri spinani. So zaradenym 
rezistorom je definovana casova konstanta aj maximalny prud.

Dalsi je pri linearnom rezime, bez serioveho rezistora moze zacat 
samotny tranzistor oscilovat a nasledne zhori. Uz si nepamatam ako sa 
vola ten efekt.

No a posledny je riadena rychlost spinania. Ano, samozrejme kazdy by 
chcel spinat co najrychlejsie. Ved to kazdy hovori. Ale rychle spinanie 
vybudi zakmity na vsetkych parazitnych elementoch. Male spomalenie 
spinania este vyrazne nezvysi straty, zato zasadne znizi obsah 
nezelanych vysokych frekvencii.

Pred mesiacom som posielal meranie DC DC menica bez a so seriovymi 
rezistormi.

Bez rezistorov v gate

https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/00_pred.JPG

https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/02_signaly_pred.JPG

a so seriovymi rezistormi v gate.

https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/05_po.JPG

https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/04_finalne_signaly.JPG

syto zelena krivka. Bledo zelena je pred. Snubber ma v tomto obvode len 
maly ucinok, 300kHz menic vyzaroval medzi 100 a 150 MHz. Po pridani 
rezistorov pre riadenu rychlost spinania tento signal uplne zmizol.

b.




On 21/02/2024 21:08, Jan Kuba wrote:
> Na stránce 6 toho driveru je schéma.. Proč se všude cpe ten odpor do 
> Gate?  Rgate.
> Podle mě to všechno jenom zabije. Jde přeci o to, aby se gate 
> elektroda co nejrychleji nabila a zase co nejrychleji vybila.
> Představme si tuto elektrodu MOSFETu jako kondenzátor proti zemi s 
> nezanedbatelnou kapacitou.
> Když mu tam dám do série odpor, tak ten proces rychlého nabíjení a 
> vybíjení ( zapínání a vypínání ) zabiju a bude to trvat dýl.
> A pak to bude víc hřát, protože...
> Proč se to gate  nepřipojuje do budiče  natvrdo?
> Co jsem nepochopil?
> Děkuji.
>
> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail> 
> 	Neobsahuje žádné viry.www.avast.com 
> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail> 
>
>
>
> st 21. 2. 2024 v 19:19 odesílatel Pavel Hudeček <edizon na seznam.cz> napsal:
>
>     Avalanche energy je užitečná, pokud se očekává možnost
>     neošetřeného rozepnutí indukčnosti. Je to energie, kterou v tomhle
>     režimu garantovaně přežije. Pokud u toho bude dioda, nebo je
>     opravdu hodně garantován bezindukční charakter zátěže, tak na Eas
>     nezáleží.
>
>     Poznámka k hi-side driverům: Většina, včetně uvedeného, má
>     napájení horní strany z kondenzátoru, který se nabíjí když je Vs
>     výstupu blízké GND. Na to je ten R+D na obr.1 nahoře. Nelze je
>     takto provozovat až do 100% doby sepnutí. Nebo se jim musí zařídit
>     externí napájení.
>
>     PH
>
>     Dne 21.02.2024 v 16:10 Martin Záruba napsal(a):
>>
>>     Mě připadalo 2x18A pro ohmickou zátěž dost rezerva, ale dám si
>>     poradit. Jak moc je důležitá parametr Avalanche energy? Dost se u
>>     podobných typů liší. Jako budič chci dát IX2127G IXYS - IC:
>>     driver | high-side,budič hradel; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
>>     | TME Czech Republic s.r.o. - Elektronické součástky
>>     <https://www.tme.eu/cz/details/ix2127g/drivery-mosfet-igbt/ixys/>
>>     Líbí se mi, jak je řešená ochrana před přetížením. Zkusil jsem
>>     připojit mosfet přes rezistor 0,1 O na 3,2 LiFePo a na ovládání
>>     plynule zvyšovat napětí. Na D se objevil cca 320 nS pulz, kdy
>>     napětí kleslo na 1,2 V a pak mosfet rozepnul. K novému sepnutí je
>>     třeba vrátit ovladací napětí pod rozhodovací úroveň.
>>
>>     Martin Záruba
>>     Dne 21.2.2024 v 15:27 Jan Kuba napsal(a):
>>>     Ano, někde jsem teď viděl 8x patalelně. Mě se ale u příkladu zdá
>>>     malá  napěťová rezerva, nakonec i proudová. Já jsem zvyklý dělat
>>>     vše robustní. Vybral bych něco na 150V a  proudově alespoň 50A.
>>>     Osobně bych tam dal min 2x IRFP 250 , už proto, že je mám v
>>>     šuplíku 😉 větší RDS ON neva, bude na něm stejně max 2W. Ale
>>>     musínse udělat pořádně driver.
>>>
>>>     středa 21. února 2024 Petr Labaj <labaj na volny.cz> napsal(a):
>>>
>>>         Paralelní řazení FETů je oblíbený sport.
>>>         Je to jedna z výhod FETů, že je lze snadno takto spojovat.
>>>         Zcela běžně se to používá. Kdejaký výkonový regulátor nebo
>>>         spínač to tak má zapojené.
>>>
>>>         PL
>>>
>>>         ******************
>>>
>>>         Dne 21.2.2024 v 10:46 Martin Záruba napsal(a):
>>>
>>>             Potřebuji pomocí pwm sovládat odporovou zátěž 80V 25A.
>>>             Chtěl bych použít dva AOT290L. Dle DS
>>>
>>>             Drain-Source Voltage 100V
>>>
>>>             Continuous Drain Current 18A
>>>
>>>             RDS(ON) 25stC 3,5 mO
>>>
>>>             RDS(ON) 125stC 5,7 mO
>>>
>>>
>>>             Myslíte, že mohu prostě spojit dva paralelně? Pokud se
>>>             jeden ohřeje víc, měl by Rds stoupnout a proud by
>>>             převzal druhý.
>>>
>
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20240221/893ea23d/attachment.htm>