PWM 80V 25A

[Jan Kuba]

Děkuji. Jsem si myslel , že to teď všichni budou budit bez toho odporu a
bude to lepší. A vida, on tam opravdu k něčemu je. Nojo, človek se furt učí.
Na těch oscilografech jento krásně vidět. A má to i logiku, diky.

středa 21. února 2024 Daniel Valuch <balu na k-net.fr> napsal(a):

> Je tam viacero dovodov.
>
> Jeden je obmedzenie spickoveho prudu do gate pri spinani. So zaradenym
> rezistorom je definovana casova konstanta aj maximalny prud.
>
> Dalsi je pri linearnom rezime, bez serioveho rezistora moze zacat samotny
> tranzistor oscilovat a nasledne zhori. Uz si nepamatam ako sa vola ten
> efekt.
>
> No a posledny je riadena rychlost spinania. Ano, samozrejme kazdy by chcel
> spinat co najrychlejsie. Ved to kazdy hovori. Ale rychle spinanie vybudi
> zakmity na vsetkych parazitnych elementoch. Male spomalenie spinania este
> vyrazne nezvysi straty, zato zasadne znizi obsah nezelanych vysokych
> frekvencii.
>
> Pred mesiacom som posielal meranie DC DC menica bez a so seriovymi
> rezistormi.
>
> Bez rezistorov v gate
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/00_pred.JPG
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/02_signaly_pred.JPG
>
> a so seriovymi rezistormi v gate.
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/05_po.JPG
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/04_finalne_signaly.JPG
>
> syto zelena krivka. Bledo zelena je pred. Snubber ma v tomto obvode len
> maly ucinok, 300kHz menic vyzaroval medzi 100 a 150 MHz. Po pridani
> rezistorov pre riadenu rychlost spinania tento signal uplne zmizol.
>
> b.
>
>
>
>
> On 21/02/2024 21:08, Jan Kuba wrote:
>
> Na stránce 6 toho driveru je schéma.. Proč se všude cpe ten odpor do
> Gate?  Rgate.
> Podle mě to všechno jenom zabije. Jde přeci o to, aby se gate elektroda co
> nejrychleji nabila a zase co nejrychleji vybila.
> Představme si tuto elektrodu MOSFETu jako kondenzátor proti zemi s
> nezanedbatelnou kapacitou.
> Když mu tam dám do série odpor, tak ten proces rychlého nabíjení a
> vybíjení ( zapínání a vypínání ) zabiju a bude to trvat dýl.
> A pak to bude víc hřát, protože...
> Proč se to gate  nepřipojuje do budiče  natvrdo?
> Co jsem nepochopil?
> Děkuji.
>
>
> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail> Neobsahuje
> žádné viry.www.avast.com
> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail>
>
> st 21. 2. 2024 v 19:19 odesílatel Pavel Hudeček <edizon na seznam.cz> napsal:
>
>> Avalanche energy je užitečná, pokud se očekává možnost neošetřeného
>> rozepnutí indukčnosti. Je to energie, kterou v tomhle režimu garantovaně
>> přežije. Pokud u toho bude dioda, nebo je opravdu hodně garantován
>> bezindukční charakter zátěže, tak na Eas nezáleží.
>>
>> Poznámka k hi-side driverům: Většina, včetně uvedeného, má napájení horní
>> strany z kondenzátoru, který se nabíjí když je Vs výstupu blízké GND. Na to
>> je ten R+D na obr.1 nahoře. Nelze je takto provozovat až do 100% doby
>> sepnutí. Nebo se jim musí zařídit externí napájení.
>>
>> PH
>>
>> Dne 21.02.2024 v 16:10 Martin Záruba napsal(a):
>>
>> Mě připadalo 2x18A pro ohmickou zátěž dost rezerva, ale dám si poradit.
>> Jak moc je důležitá parametr Avalanche energy? Dost se u podobných typů
>> liší. Jako budič chci dát IX2127G IXYS - IC: driver | high-side,budič
>> hradel; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V | TME Czech Republic s.r.o. -
>> Elektronické součástky
>> <https://www.tme.eu/cz/details/ix2127g/drivery-mosfet-igbt/ixys/> Líbí
>> se mi, jak je řešená ochrana před přetížením. Zkusil jsem připojit mosfet
>> přes rezistor 0,1 O na 3,2 LiFePo a na ovládání plynule zvyšovat napětí. Na
>> D se objevil cca 320 nS pulz, kdy napětí kleslo na 1,2 V a pak mosfet
>> rozepnul. K novému sepnutí je třeba vrátit ovladací napětí pod rozhodovací
>> úroveň.
>>
>> Martin Záruba
>>
>> Dne 21.2.2024 v 15:27 Jan Kuba napsal(a):
>>
>> Ano, někde jsem teď viděl 8x patalelně. Mě se ale u příkladu zdá malá
>> napěťová rezerva, nakonec i proudová. Já jsem zvyklý dělat vše robustní.
>> Vybral bych něco na 150V a  proudově alespoň 50A. Osobně bych tam dal min
>> 2x IRFP 250 , už proto, že je mám v šuplíku 😉 větší RDS ON neva, bude na
>> něm stejně max 2W. Ale musínse udělat pořádně driver.
>>
>> středa 21. února 2024 Petr Labaj <labaj na volny.cz> napsal(a):
>>
>>> Paralelní řazení FETů je oblíbený sport.
>>> Je to jedna z výhod FETů, že je lze snadno takto spojovat.
>>> Zcela běžně se to používá. Kdejaký výkonový regulátor nebo spínač to tak
>>> má zapojené.
>>>
>>> PL
>>>
>>> ******************
>>>
>>> Dne 21.2.2024 v 10:46 Martin Záruba napsal(a):
>>>
>>>> Potřebuji pomocí pwm sovládat odporovou zátěž 80V 25A. Chtěl bych
>>>> použít dva AOT290L. Dle DS
>>>>
>>>> Drain-Source Voltage 100V
>>>>
>>>> Continuous Drain Current 18A
>>>>
>>>> RDS(ON) 25stC 3,5 mO
>>>>
>>>> RDS(ON) 125stC 5,7 mO
>>>>
>>>>
>>>> Myslíte, že mohu prostě spojit dva paralelně? Pokud se jeden ohřeje
>>>> víc, měl by Rds stoupnout a proud by převzal druhý.
>>>
>>>
>
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20240221/8a257670/attachment.htm>