PWM 80V 25A

Středa Únor 21 22:47:06 CET 2024

Ono záleží, jak je udělaný ten budič. Kreslím si zdroj s NTP1034 a tam 
zrovna ty odpory nedoporučujou. Ale zkušenost mám takovou, že i malým 
snížením rychlosti spínání si ušetříte velké problémy s vyzařováním. A 
sériové odpory se dávaly v audio zesilovačích už do mřížek výkonnějších 
elektronek, právě aby to nekmitalo.

Anděl

Dne 21.02.2024 v 21:18 Daniel Valuch napsal(a):
>
> Je tam viacero dovodov.
>
> Jeden je obmedzenie spickoveho prudu do gate pri spinani. So zaradenym 
> rezistorom je definovana casova konstanta aj maximalny prud.
>
> Dalsi je pri linearnom rezime, bez serioveho rezistora moze zacat 
> samotny tranzistor oscilovat a nasledne zhori. Uz si nepamatam ako sa 
> vola ten efekt.
>
> No a posledny je riadena rychlost spinania. Ano, samozrejme kazdy by 
> chcel spinat co najrychlejsie. Ved to kazdy hovori. Ale rychle 
> spinanie vybudi zakmity na vsetkych parazitnych elementoch. Male 
> spomalenie spinania este vyrazne nezvysi straty, zato zasadne znizi 
> obsah nezelanych vysokych frekvencii.
>
> Pred mesiacom som posielal meranie DC DC menica bez a so seriovymi 
> rezistormi.
>
> Bez rezistorov v gate
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/00_pred.JPG
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/02_signaly_pred.JPG
>
> a so seriovymi rezistormi v gate.
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/05_po.JPG
>
> https://dvaluch.web.cern.ch/temp/DCDC/04_finalne_signaly.JPG
>
> syto zelena krivka. Bledo zelena je pred. Snubber ma v tomto obvode 
> len maly ucinok, 300kHz menic vyzaroval medzi 100 a 150 MHz. Po 
> pridani rezistorov pre riadenu rychlost spinania tento signal uplne 
> zmizol.
>
> b.
>
>
>
>
> On 21/02/2024 21:08, Jan Kuba wrote:
>> Na stránce 6 toho driveru je schéma.. Proč se všude cpe ten odpor do 
>> Gate?  Rgate.
>> Podle mě to všechno jenom zabije. Jde přeci o to, aby se gate 
>> elektroda co nejrychleji nabila a zase co nejrychleji vybila.
>> Představme si tuto elektrodu MOSFETu jako kondenzátor proti zemi s 
>> nezanedbatelnou kapacitou.
>> Když mu tam dám do série odpor, tak ten proces rychlého nabíjení a 
>> vybíjení ( zapínání a vypínání ) zabiju a bude to trvat dýl.
>> A pak to bude víc hřát, protože...
>> Proč se to gate  nepřipojuje do budiče  natvrdo?
>> Co jsem nepochopil?
>> Děkuji.
>>
>> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail> 
>> 	Neobsahuje žádné viry.www.avast.com 
>> <https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail> 
>>
>>
>>
>> st 21. 2. 2024 v 19:19 odesílatel Pavel Hudeček <edizon na seznam.cz> 
>> napsal:
>>
>>     Avalanche energy je užitečná, pokud se očekává možnost
>>     neošetřeného rozepnutí indukčnosti. Je to energie, kterou v
>>     tomhle režimu garantovaně přežije. Pokud u toho bude dioda, nebo
>>     je opravdu hodně garantován bezindukční charakter zátěže, tak na
>>     Eas nezáleží.
>>
>>     Poznámka k hi-side driverům: Většina, včetně uvedeného, má
>>     napájení horní strany z kondenzátoru, který se nabíjí když je Vs
>>     výstupu blízké GND. Na to je ten R+D na obr.1 nahoře. Nelze je
>>     takto provozovat až do 100% doby sepnutí. Nebo se jim musí
>>     zařídit externí napájení.
>>
>>     PH
>>
>>     Dne 21.02.2024 v 16:10 Martin Záruba napsal(a):
>>>
>>>     Mě připadalo 2x18A pro ohmickou zátěž dost rezerva, ale dám si
>>>     poradit. Jak moc je důležitá parametr Avalanche energy? Dost se
>>>     u podobných typů liší. Jako budič chci dát IX2127G IXYS - IC:
>>>     driver | high-side,budič hradel; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U:
>>>     600V | TME Czech Republic s.r.o. - Elektronické součástky
>>>     <https://www.tme.eu/cz/details/ix2127g/drivery-mosfet-igbt/ixys/>
>>>     Líbí se mi, jak je řešená ochrana před přetížením. Zkusil jsem
>>>     připojit mosfet přes rezistor 0,1 O na 3,2 LiFePo a na ovládání
>>>     plynule zvyšovat napětí. Na D se objevil cca 320 nS pulz, kdy
>>>     napětí kleslo na 1,2 V a pak mosfet rozepnul. K novému sepnutí
>>>     je třeba vrátit ovladací napětí pod rozhodovací úroveň.
>>>
>>>     Martin Záruba
>>>     Dne 21.2.2024 v 15:27 Jan Kuba napsal(a):
>>>>     Ano, někde jsem teď viděl 8x patalelně. Mě se ale u příkladu
>>>>     zdá malá  napěťová rezerva, nakonec i proudová. Já jsem zvyklý
>>>>     dělat vše robustní. Vybral bych něco na 150V a  proudově
>>>>     alespoň 50A. Osobně bych tam dal min 2x IRFP 250 , už proto, že
>>>>     je mám v šuplíku 😉 větší RDS ON neva, bude na něm stejně max
>>>>     2W. Ale musínse udělat pořádně driver.
>>>>
>>>>     středa 21. února 2024 Petr Labaj <labaj na volny.cz> napsal(a):
>>>>
>>>>         Paralelní řazení FETů je oblíbený sport.
>>>>         Je to jedna z výhod FETů, že je lze snadno takto spojovat.
>>>>         Zcela běžně se to používá. Kdejaký výkonový regulátor nebo
>>>>         spínač to tak má zapojené.
>>>>
>>>>         PL
>>>>
>>>>         ******************
>>>>
>>>>         Dne 21.2.2024 v 10:46 Martin Záruba napsal(a):
>>>>
>>>>             Potřebuji pomocí pwm sovládat odporovou zátěž 80V 25A.
>>>>             Chtěl bych použít dva AOT290L. Dle DS
>>>>
>>>>             Drain-Source Voltage 100V
>>>>
>>>>             Continuous Drain Current 18A
>>>>
>>>>             RDS(ON) 25stC 3,5 mO
>>>>
>>>>             RDS(ON) 125stC 5,7 mO
>>>>
>>>>
>>>>             Myslíte, že mohu prostě spojit dva paralelně? Pokud se
>>>>             jeden ohřeje víc, měl by Rds stoupnout a proud by
>>>>             převzal druhý.
>>>>
>>
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored bywww.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list

------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20240221/5f8e39b8/attachment.htm>