PWM 80V 25A

[Jan Kuba]

Na stránce 6 toho driveru je schéma.. Proč se všude cpe ten odpor do Gate?
Rgate.
Podle mě to všechno jenom zabije. Jde přeci o to, aby se gate elektroda co
nejrychleji nabila a zase co nejrychleji vybila.
Představme si tuto elektrodu MOSFETu jako kondenzátor proti zemi s
nezanedbatelnou kapacitou.
Když mu tam dám do série odpor, tak ten proces rychlého nabíjení a vybíjení
( zapínání a vypínání ) zabiju a bude to trvat dýl.
A pak to bude víc hřát, protože...
Proč se to gate  nepřipojuje do budiče  natvrdo?
Co jsem nepochopil?
Děkuji.

<https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail>
Neobsahuje
žádné viry.www.avast.com
<https://www.avast.com/sig-email?utm_medium=email&utm_source=link&utm_campaign=sig-email&utm_content=webmail>
<#DAB4FAD8-2DD7-40BB-A1B8-4E2AA1F9FDF2>

st 21. 2. 2024 v 19:19 odesílatel Pavel Hudeček <edizon na seznam.cz> napsal:

> Avalanche energy je užitečná, pokud se očekává možnost neošetřeného
> rozepnutí indukčnosti. Je to energie, kterou v tomhle režimu garantovaně
> přežije. Pokud u toho bude dioda, nebo je opravdu hodně garantován
> bezindukční charakter zátěže, tak na Eas nezáleží.
>
> Poznámka k hi-side driverům: Většina, včetně uvedeného, má napájení horní
> strany z kondenzátoru, který se nabíjí když je Vs výstupu blízké GND. Na to
> je ten R+D na obr.1 nahoře. Nelze je takto provozovat až do 100% doby
> sepnutí. Nebo se jim musí zařídit externí napájení.
>
> PH
>
> Dne 21.02.2024 v 16:10 Martin Záruba napsal(a):
>
> Mě připadalo 2x18A pro ohmickou zátěž dost rezerva, ale dám si poradit.
> Jak moc je důležitá parametr Avalanche energy? Dost se u podobných typů
> liší. Jako budič chci dát IX2127G IXYS - IC: driver | high-side,budič
> hradel; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V | TME Czech Republic s.r.o. -
> Elektronické součástky
> <https://www.tme.eu/cz/details/ix2127g/drivery-mosfet-igbt/ixys/> Líbí se
> mi, jak je řešená ochrana před přetížením. Zkusil jsem připojit mosfet přes
> rezistor 0,1 O na 3,2 LiFePo a na ovládání plynule zvyšovat napětí. Na D se
> objevil cca 320 nS pulz, kdy napětí kleslo na 1,2 V a pak mosfet rozepnul.
> K novému sepnutí je třeba vrátit ovladací napětí pod rozhodovací úroveň.
>
> Martin Záruba
>
> Dne 21.2.2024 v 15:27 Jan Kuba napsal(a):
>
> Ano, někde jsem teď viděl 8x patalelně. Mě se ale u příkladu zdá malá
> napěťová rezerva, nakonec i proudová. Já jsem zvyklý dělat vše robustní.
> Vybral bych něco na 150V a  proudově alespoň 50A. Osobně bych tam dal min
> 2x IRFP 250 , už proto, že je mám v šuplíku 😉 větší RDS ON neva, bude na
> něm stejně max 2W. Ale musínse udělat pořádně driver.
>
> středa 21. února 2024 Petr Labaj <labaj na volny.cz> napsal(a):
>
>> Paralelní řazení FETů je oblíbený sport.
>> Je to jedna z výhod FETů, že je lze snadno takto spojovat.
>> Zcela běžně se to používá. Kdejaký výkonový regulátor nebo spínač to tak
>> má zapojené.
>>
>> PL
>>
>> ******************
>>
>> Dne 21.2.2024 v 10:46 Martin Záruba napsal(a):
>>
>>> Potřebuji pomocí pwm sovládat odporovou zátěž 80V 25A. Chtěl bych použít
>>> dva AOT290L. Dle DS
>>>
>>> Drain-Source Voltage 100V
>>>
>>> Continuous Drain Current 18A
>>>
>>> RDS(ON) 25stC 3,5 mO
>>>
>>> RDS(ON) 125stC 5,7 mO
>>>
>>>
>>> Myslíte, že mohu prostě spojit dva paralelně? Pokud se jeden ohřeje víc,
>>> měl by Rds stoupnout a proud by převzal druhý.
>>>
>> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20240221/f3138bcf/attachment.htm>