H bridge a spinani MOSFET?

[ludek.drtil na seznam.cz]

""
No prave, ja se zamiloval do  1mm vysokých, lepe receno  placatých SMD 
pouzder MOSFETU s proudy kolem 300A, které umožnuji vse zalit do vyfrezovane
diry v kusu hliniku a mit kompaktni reseni, coz hati jak budici trafa tak 
reseni s externimi nabojovymi pumpamy pro buzeni hornich MOSFETU. 

Proto se mi libilo integrovane reseni třeba jako hip4080 / 1 , buhuzel jsou 
jen 2.5 A a to symetricky i vybijeni, mají sice interni dead time zpozdovaci
linku, ale ta je jen do 110ns

a takove tranzistorove obludy jako Infineon IPT012N08N5 mají jen Turn-off 
delay time 82ns dano somotnym odporem Gate 1,8Ohmu, pokud se k tomu pridaji 
4Ohmy odporu vypínacího tranzistoru v budici je to v .....

Tento nedostatek jde obejit rizenim pomoci 4 dratu, ale i tak se nic nezmeni
na faktu ze je prepinani relativne pomale.




Pokud vite o nejakem vzorovem reseni  rad se poucim, ale trafum bych se rad 
vyhnul. 

L.




 



"Např. UCC275x mají nabíjení 4 a vybíjení 8 A
Ixys dělá i drivery 10/10 A, nebo tak nějak

Ale není to integrovaný polomost. To si už musíte pořešit sám. Párkrát jsem 
to dělal a vyzkoušená řešení jsou:

- Fotodiodové optočleny
- Trafíčko
- Všechny drivery dole a budící trafo. Ale je pak dost velké.

EMC nemusí být problém ani s krátkými časy, ale chce to si hodně pohrát s 
tím, kudy a jak vedou spoje a tak podobně. Na 48 V nic hrozného.

Peklo nastává při kV a sériovém řazení tranzistorů. To pak snadno i pomalý 
měnič s malou frekvencí ruší na GHz:-)

PH


From: ludek.drtil na seznam.cz(http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list) 
Sent: Wednesday, October 25, 2017 7:34 PM
To: hw-list na list.hw.cz(http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list) 
Subject: H bridge a spinani MOSFET?

Potrebuji vytvořit H mustek pro spinani  2 - 150A (48V), nepotrebuji zadne 
velke spinaci frekvence radove max 700Hz , ale rad bych co nejrychlejsi 
prepinani na polomostu ,aby se minimalizovaly zraty a hlavne mrtvy cas pri 
spinani.
Celkem dnes neni problem najit velky MOSFET, ktery  zvladne realne i 300A s 
odporem kolem 1mOhmu. , trochu hrosi je to s budicem pro takovy mustek.

Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H mustku s integrovanou nabojovou 
pumpou,ale maji driivery s  proudy 2 až 3A.. MOSFETY pro velke proudy 
vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji kapacitu cca13nF.
Zkusil jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU proudem 2,5A a 
vychazi mi podle velikosti prochazejiciho proudu:
Spinaci cas pro zapnuti   100-200ns
Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns (pro 1A dokonce 650 ns)

nabijeni 2,5A zdrojem 12V  přes  odpor 5.6 Ohmu 
Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou diodou. 

Prijde mi to jako relatrivne pomale, aby nedochazelo ke zkratum na polomostu
vyzaduje akce na jedne strane polomostu cca  700-800ns.
Me otazky existuji integrovame budice s nabojovou pumpou, ktere by mel 
vyrazne vyssi budici poud , rekneme 7-8A?
Pripadne uvitam odkaz an reseni mustku s velkymi tranzistory a ne plne 
integrovanym resenim.
Cim rychlejsi spinani a rozpinani velkych proudu tim vetsi ruseni, jde nejak
obecne rici na jakou rychlost se jde dostat a pritom mit rozumne EMC?
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/
attachment.html
(http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/attachment.html)
>

"
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171027/40a45b50/attachment.html>