<html><body><blockquote data-email="ludek.drtil@seznam.cz"></blockquote><p>No prave, ja se zamiloval do  1mm vysokých, lepe receno  placatých SMD pouzder MOSFETU s proudy kolem 300A, které umožnuji vse zalit do vyfrezovane diry v kusu hliniku a mit kompaktni reseni, coz hati jak budici trafa tak reseni s externimi nabojovymi pumpamy pro buzeni hornich MOSFETU. </p><p>Proto se mi libilo integrovane reseni třeba jako hip4080 / 1 , buhuzel jsou jen 2.5 A a to symetricky i vybijeni, mají sice interni dead time zpozdovaci linku, ale ta je jen do 110ns</p><p>a takove tranzistorove obludy jako Infineon IPT012N08N5 mají jen Turn-off delay time 82ns dano somotnym odporem Gate 1,8Ohmu, pokud se k tomu pridaji 4Ohmy odporu vypínacího tranzistoru v budici je to v .....</p><p>Tento nedostatek jde obejit rizenim pomoci 4 dratu, ale i tak se nic nezmeni na faktu ze je prepinani relativne pomale.</p><p><br></p><p>Pokud vite o nejakem vzorovem reseni  rad se poucim, ale trafum bych se rad vyhnul. </p><p>L.</p><font face="Aeupec2" size="2"><p><br></p></font><p><font face="Aeupec2" size="2"></font> </p><p><br></p><blockquote data-email="ludek.drtil@seznam.cz">Např. UCC275x mají nabíjení 4 a vybíjení 8 A<br>Ixys dělá i drivery 10/10 A, nebo tak nějak<br><br>Ale není to integrovaný polomost. To si už musíte pořešit sám. Párkrát jsem to dělal a vyzkoušená řešení jsou:<br><br>- Fotodiodové optočleny<br>- Trafíčko<br>- Všechny drivery dole a budící trafo. Ale je pak dost velké.<br><br>EMC nemusí být problém ani s krátkými časy, ale chce to si hodně pohrát s tím, kudy a jak vedou spoje a tak podobně. Na 48 V nic hrozného.<br><br>Peklo nastává při kV a sériovém řazení tranzistorů. To pak snadno i pomalý měnič s malou frekvencí ruší na GHz:-)<br><br>PH<br><br><br>From: <a href="http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list"><font color="#0066cc">ludek.drtil na seznam.cz</font></a> <br>Sent: Wednesday, October 25, 2017 7:34 PM<br>To: <a href="http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list"><font color="#0066cc">hw-list na list.hw.cz</font></a> <br>Subject: H bridge a spinani MOSFET?<br><br>Potrebuji vytvořit H mustek pro spinani  2 - 150A (48V), nepotrebuji zadne velke spinaci frekvence radove max 700Hz , ale rad bych co nejrychlejsi prepinani na polomostu ,aby se minimalizovaly zraty a hlavne mrtvy cas pri spinani.<br>Celkem dnes neni problem najit velky MOSFET, ktery  zvladne realne i 300A s odporem kolem 1mOhmu. , trochu hrosi je to s budicem pro takovy mustek.<br><br>Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H mustku s integrovanou nabojovou pumpou,ale maji driivery s  proudy 2 až 3A.. MOSFETY pro velke proudy vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji kapacitu cca13nF.<br>Zkusil jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU proudem 2,5A a vychazi mi podle velikosti prochazejiciho proudu:<br>Spinaci cas pro zapnuti   100-200ns<br>Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns (pro 1A dokonce 650 ns)<br><br>nabijeni 2,5A zdrojem 12V  přes  odpor 5.6 Ohmu <br>Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou diodou. <br><br>Prijde mi to jako relatrivne pomale, aby nedochazelo ke zkratum na polomostu vyzaduje akce na jedne strane polomostu cca  700-800ns.<br>Me otazky existuji integrovame budice s nabojovou pumpou, ktere by mel vyrazne vyssi budici poud , rekneme 7-8A?<br>Pripadne uvitam odkaz an reseni mustku s velkymi tranzistory a ne plne integrovanym resenim.<br>Cim rychlejsi spinani a rozpinani velkych proudu tim vetsi ruseni, jde nejak obecne rici na jakou rychlost se jde dostat a pritom mit rozumne EMC?<br>------------- další část ---------------<br>HTML příloha byla odstraněna...<br>URL: <<a href="http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/attachment.html"><font color="#0066cc">http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171026/84d52cd9/attachment.html</font></a>><br><br></blockquote></body></html>