<HTML><HEAD></HEAD>
<BODY dir=ltr>
<DIV dir=ltr>
<DIV style="FONT-SIZE: 12pt; FONT-FAMILY: 'Calibri'; COLOR: #000000">
<DIV>Např. UCC275x mají nabíjení 4 a vybíjení 8 A</DIV>
<DIV>Ixys dělá i drivery 10/10 A, nebo tak nějak</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>Ale není to integrovaný polomost. To si už musíte pořešit sám. Párkrát jsem
to dělal a vyzkoušená řešení jsou:</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>- Fotodiodové optočleny</DIV>
<DIV>- Trafíčko</DIV>
<DIV>- Všechny drivery dole a budící trafo. Ale je pak dost velké.</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>EMC nemusí být problém ani s krátkými časy, ale chce to si hodně pohrát s
tím, kudy a jak vedou spoje a tak podobně. Na 48 V nic hrozného.</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>Peklo nastává při kV a sériovém řazení tranzistorů. To pak snadno i pomalý
měnič s malou frekvencí ruší na GHz:-)</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV>PH</DIV>
<DIV> </DIV>
<DIV
style='FONT-SIZE: small; TEXT-DECORATION: none; FONT-FAMILY: "Calibri"; FONT-WEIGHT: normal; COLOR: #000000; FONT-STYLE: normal; DISPLAY: inline'>
<DIV style="FONT: 10pt tahoma">
<DIV> </DIV>
<DIV style="BACKGROUND: #f5f5f5">
<DIV style="font-color: black"><B>From:</B> <A title=ludek.drtil@seznam.cz
href="mailto:ludek.drtil@seznam.cz">ludek.drtil@seznam.cz</A> </DIV>
<DIV><B>Sent:</B> Wednesday, October 25, 2017 7:34 PM</DIV>
<DIV><B>To:</B> <A title=hw-list@list.hw.cz
href="mailto:hw-list@list.hw.cz">hw-list@list.hw.cz</A> </DIV>
<DIV><B>Subject:</B> H bridge a spinani MOSFET?</DIV></DIV></DIV>
<DIV> </DIV></DIV>
<DIV
style='FONT-SIZE: small; TEXT-DECORATION: none; FONT-FAMILY: "Calibri"; FONT-WEIGHT: normal; COLOR: #000000; FONT-STYLE: normal; DISPLAY: inline'>Potrebuji
vytvořit H mustek pro spinani 2 - 150A (48V), nepotrebuji zadne velke
spinaci frekvence radove max 700Hz , ale rad bych co nejrychlejsi prepinani na
polomostu ,aby se minimalizovaly zraty a hlavne mrtvy cas pri spinani.<BR>Celkem
dnes neni problem najit velky MOSFET, ktery zvladne realne i 300A s
odporem kolem 1mOhmu. , trochu hrosi je to s budicem pro takovy
mustek.<BR><BR>Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H mustku s integrovanou
nabojovou pumpou,ale maji driivery s proudy 2 až 3A.. MOSFETY pro velke
proudy vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji kapacitu cca13nF.<BR>Zkusil
jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU proudem 2,5A a vychazi mi
podle velikosti prochazejiciho proudu:<BR>Spinaci cas pro zapnuti
100-200ns<BR>Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns (pro 1A dokonce 650
ns)<BR><BR>nabijeni 2,5A zdrojem 12V přes odpor 5.6 Ohmu
<BR>Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou diodou. <BR><BR>Prijde
mi to jako relatrivne pomale, aby nedochazelo ke zkratum na polomostu vyzaduje
akce na jedne strane polomostu cca 700-800ns.<BR>Me otazky existuji
integrovame budice s nabojovou pumpou, ktere by mel vyrazne vyssi budici poud ,
rekneme 7-8A?<BR>Pripadne uvitam odkaz an reseni mustku s velkymi tranzistory a
ne plne integrovanym resenim.<BR>Cim rychlejsi spinani a rozpinani velkych
proudu tim vetsi ruseni, jde nejak obecne rici na jakou rychlost se jde dostat a
pritom mit rozumne EMC?</DIV></DIV></DIV></BODY></HTML>