Paralelni razeni MOSFETu v lin. rezimu

[Pavel Hudecek]

VA:
Je to pro sériovou výrobu, takže vybírání raději ne. Společný chladič bude.

G:
Hifistickému fóru bych osud zákazníkovy reputace raději nesvěřil:-)

Nesmí to být drahé a musí být dlouhodobá dostupnost, takže VMOSy taky asi 
ne.

Zatím to vidím na nějakou kompromisní hodnotu odporů s praktickým ověřením 
lehce destrukčními testy. Příjemným vedlejším důsledkem bude snadné snímání 
proudu.

PH

From: "gatilo" <gatilo na centrum.cz>
Tohle resi HiFi-ste, na jejich forech o tom jiste budou obsahle
diskuse, ale nakonec skonci u toho co pise kolega Andel.
Druhou moznosti je, pouzit mosfety se starsi strukturou (lateralni
VMOS ??? ) kde jsou prubehy podstatne priznivejsi. Bohuzel, jejich
dostupnost je mizerna, v soucastnosti je na trhu jen par typu od jedne
ci dvou firem, za patricnou cenu a nejspise i mimo hlavni distributory
jako farnell neboí digikey.

Vláďa Anděl napsal:
> asi jedině společný chladič a předimenzovat to, aby tolik nevadilo že se
> proud rozdělí nerovnoměrně. Když to bude kritické, vybírat stejné
> tranzistory?

> Dne 10.8.2013 20:39, Pavel Hudecek napsal(a):
>> ve spínacím režimu je to jasné: S rostoucí teplotou roste RdsON, takže
>> stačí prosté spojení. Ale v lineárním přichází nepříjemné zjištění, že
>> s rostoucí T klesá prahové napětí a to až o několik V, což by
>> směřovalo k odporu pod S, podobně jako u bipolárů pod E, jenže jeho
>> hodnota by byla nehorázně velká.
>>
>> Jsou k tomu nějaké nápady/poznámky/zkušenosti?