Paralelni razeni MOSFETu v lin. rezimu

[gatilo]

 10.8.2013, 22:24:04

Tohle resi HiFi-ste, na jejich forech o tom jiste budou obsahle
diskuse, ale nakonec skonci u toho co pise kolega Andel.
Druhou moznosti je, pouzit mosfety se starsi strukturou (lateralni
VMOS ??? ) kde jsou prubehy podstatne priznivejsi. Bohuzel, jejich
dostupnost je mizerna, v soucastnosti je na trhu jen par typu od jedne
ci dvou firem, za patricnou cenu a nejspise i mimo hlavni distributory
jako farnell neboí digikey.

S pozdravem Pavel
  mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz

--
Vláďa Anděl napsal:

> asi jedině společný chladič a předimenzovat to, aby tolik nevadilo že se
> proud rozdělí nerovnoměrně. Když to bude kritické, vybírat stejné 
> tranzistory?
> Anděl

> Dne 10.8.2013 20:39, Pavel Hudecek napsal(a):
>> Dobrý den všem,
>>
>> ve spínacím režimu je to jasné: S rostoucí teplotou roste RdsON, takže 
>> stačí prosté spojení. Ale v lineárním přichází nepříjemné zjištění, že 
>> s rostoucí T klesá prahové napětí a to až o několik V, což by 
>> směřovalo k odporu pod S, podobně jako u bipolárů pod E, jenže jeho 
>> hodnota by byla nehorázně velká.
>>
>> Jsou k tomu nějaké nápady/poznámky/zkušenosti?
>>
>> Děkuji,
>> PH
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>

> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list