Nahrada tranzisotru IRFPF50?

Jirka zaloha na volny.cz
Čtvrtek Květen 12 14:13:54 CEST 2011


> Spina to usmernene sitove napeti, z 400V C ,tak by to teoreticky vadit nemuselo...

Teoreticky by to vadit mohlo velmi, viz můj popis vlivů v předchozí 
odpovědi. Špičkové napětí na filtračním C primáru je 325V (plus možná 
tolerance sítě), na špičky Uds při rozepnutí zbývá velmi málo.

Na síťové aplikace pro flyback topologie se standardně používají MOSFETy 
s Uds min. 600V - a to musí být měnič velmi dobře vyřešený...

Abych to uzavřel: až T vyměníte, podívejte se mu osciloskopem na D při 
max. zátěži na výstupu (tehdy jsou energie v jádře a tím i špičky 
maximální), zda se významně neblíží těm 800V pro IRFPE50. Pokud ano, 
dost riskujete, nebo alespoň upravte RDC snubber (zpravidla snížením 
hodnoty odporu - i za cenu větších ztrát na něm).

Předchozí kontrola všech prvků (zejména ESR u elektrolytů) je samozřejmostí.

Pořád píšu o flyback měniči, doteď jste nespecifikoval druh.

---
Jirka


Další informace o konferenci Hw-list