Nahrada tranzisotru IRFPF50?
Jirka
zaloha na volny.cz
Čtvrtek Květen 12 14:13:54 CEST 2011
> Spina to usmernene sitove napeti, z 400V C ,tak by to teoreticky vadit nemuselo...
Teoreticky by to vadit mohlo velmi, viz můj popis vlivů v předchozí
odpovědi. Špičkové napětí na filtračním C primáru je 325V (plus možná
tolerance sítě), na špičky Uds při rozepnutí zbývá velmi málo.
Na síťové aplikace pro flyback topologie se standardně používají MOSFETy
s Uds min. 600V - a to musí být měnič velmi dobře vyřešený...
Abych to uzavřel: až T vyměníte, podívejte se mu osciloskopem na D při
max. zátěži na výstupu (tehdy jsou energie v jádře a tím i špičky
maximální), zda se významně neblíží těm 800V pro IRFPE50. Pokud ano,
dost riskujete, nebo alespoň upravte RDC snubber (zpravidla snížením
hodnoty odporu - i za cenu větších ztrát na něm).
Předchozí kontrola všech prvků (zejména ESR u elektrolytů) je samozřejmostí.
Pořád píšu o flyback měniči, doteď jste nespecifikoval druh.
---
Jirka
Další informace o konferenci Hw-list