Spínaní tranzistorů MOSFET

[Jirka]

Pavel Vyskočil napsal(a):

> Dobrý den,
> 
> mám dotaz ohledně spínání tranzistorů MOSFET. Začal sem stavět
> aktivní zátěž a chtěl sem ji udělat na proud do cca 20A. Proto jsem
> dal konkrétně čtyři tranzistory IRF640 paralelně. V lineárním provozu
> je vše OK, ale problem nastal při pulsním provozu. Jako buzení jsem
> použil mezi výstupem OZ a vstupy FET tranzistorů jeden bipolar.
> tranzistor v zapojení SC. Náběžná hrana je ostrá a bez překmitů, ale
> na sestupné je veliká proudová špička i při nízkých spínaných
> proudech. Problém bude nejspíše ve vybíjení vstupní kapacity FET
> tranzistorů. Ještě jsem přemýšlel o buzeni pomocí komplementární
> dvojice tranzistorů, ale ze simulací mi leze, že špičky tam jsou
> taky. Prakticky jsem to ještě nezkoušel. Proto bych chtěl poprosit o
> radu, jak se této necnosti při spínání FETů zbavit??? Za rady moc
> děkuju.

Ano, buzeni pomoci totem-pole (komplementarni sledovac) je reseni. Mezi 
emitory a hradlo se jeste obvykle vklada odpor radove 10R (kvuli VF 
stabilite), nekdy se premostuje diodou (anoda k hradlu - rychlejsi 
"odsati" naboje z hradla).

Pokud chcete maximalni urychleni, bude lepsi, aby kazdy transistor mel 
svuj budic - muze se ale zhorsit rovnomernost rozlozeni zateze mezi ne 
(stejne by to nejspis chtelo alespon male vyrovnavaci odpory do S).

Nejaky ten prekmit tam ale bude vzdycky, doba vybijeni hradla a obecne 
rozpinaci doba FETu jsou nenulova cisla...

-- 
Jirka