Spínaní tranzistorů MOSFET

[Pavel Vyskočil]

Dobrý den,

mám dotaz ohledně spínání tranzistorů MOSFET. Začal sem stavět aktivní zátěž a chtěl sem ji udělat na proud do cca 20A. Proto jsem dal konkrétně čtyři tranzistory IRF640 paralelně. V lineárním provozu je vše OK, ale problem nastal při pulsním provozu. Jako buzení jsem použil mezi výstupem OZ a vstupy FET tranzistorů jeden bipolar. tranzistor v zapojení SC. Náběžná hrana je ostrá a bez překmitů, ale na sestupné je veliká proudová špička i při nízkých spínaných proudech. Problém bude nejspíše ve vybíjení vstupní kapacity FET tranzistorů. Ještě jsem přemýšlel o buzeni pomocí komplementární dvojice tranzistorů, ale ze simulací mi leze, že špičky tam jsou taky. Prakticky jsem to ještě nezkoušel. Proto bych chtěl poprosit o radu, jak se této necnosti při spínání FETů zbavit??? Za rady moc děkuju.

Pavel V.
____________________________________________________________
http://www.seznam.cz - e-mailová schránka 2000 MB