Re: Spínaní tranzistorů MOSFET

[aze]

Integrované budiče mosfetů mají vždy spínače "nahoru" i "dolů". Odpor 
nestačí.
AZE

----- Original Message ----- 
From: "Pavel Vyskočil" <pavvyskocil@seznam.cz>
To: <hw-list@list.hw.cz>
Sent: Thursday, April 21, 2005 10:35 PM
Subject: Spínaní tranzistorů MOSFET


Dobrý den,

mám dotaz ohledně spínání tranzistorů MOSFET. Začal sem stavět aktivní zátěž 
a chtěl sem ji udělat na proud do cca 20A. Proto jsem dal konkrétně čtyři 
tranzistory IRF640 paralelně. V lineárním provozu je vše OK, ale problem 
nastal při pulsním provozu. Jako buzení jsem použil mezi výstupem OZ a 
vstupy FET tranzistorů jeden bipolar. tranzistor v zapojení SC. Náběžná 
hrana je ostrá a bez překmitů, ale na sestupné je veliká proudová špička i 
při nízkých spínaných proudech. Problém bude nejspíše ve vybíjení vstupní 
kapacity FET tranzistorů. Ještě jsem přemýšlel o buzeni pomocí 
komplementární dvojice tranzistorů, ale ze simulací mi leze, že špičky tam 
jsou taky. Prakticky jsem to ještě nezkoušel. Proto bych chtěl poprosit o 
radu, jak se této necnosti při spínání FETů zbavit??? Za rady moc děkuju.

Pavel V.
____________________________________________________________
http://www.seznam.cz - e-mailová schránka 2000 MB
_______________________________________________
HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
Hw-list@list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list