Re: Mosfet s malým RdsOn

[Martin Záruba]

Dík, to jsem přesně potřeboval a dám na Vaši radu.

Ještě by mě zajímalo, proč je typ, který jsem uvedl náchylný na 
proražení? Z kterého parametru to vyplýva?

Protože k tranzistorům povede přívod cca 1m, který bude mít určitou 
indukčnost, je vhodné přemostit tranzistory R-C článkem i když budou 
spínat topné těleso a tedy čistě odporovou zátěž?

Martin Záruba

Dne 8.8.2023 v 17:33 Vláďa Anděl napsal(a):
> To je přesně ten typ tranzistoru, s kterýma nerad dělám. Pokud 
> rozepnutí trvá déle, než 10 us (no já vím, že by nemělo), tak je velmi 
> náchylný na proražení. Avalanche energy, což s tím asi souvisí, taky 
> nic moc. Ale pokud má dobře udělaný budič a bude spínat odporovou 
> zátěž, tak asi bez problémů.
>
> Anděl
>
> Dne 06.08.2023 v 9:37 Martin Záruba napsal(a):
>>
>> Ještě jsem našel P50F10SN-5600 SHINDENGEN - Tranzistor: N-MOSFET | 
>> EETMOS3; unipolární; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W | TME Czech Republic 
>> s.r.o. - Elektronické součástky 
>> <https://www.tme.eu/cz/details/p50f10sn-5600/tranzistory-s-kanalem-n-tht/shindengen/> 
>> .
>>
>> 100V 50A 8,7mO 33Kč. Nebyl by lepší? Při 25A by na něm měla být 
>> ztráta 5,4W. To by neměl být problém uchladit i přes izolační podložku.
>>
>> Jestliže použiju GM electronic | elektronické součástky, komponenty - 
>> GL530 0,1mm izolační podložka 
>> <https://www.gme.cz/v/1512869/gl530-01mm-izolacni-podlozka> , které 
>> mám a mají psáno 1,2K/W znamená to, že při ztrátě 5,4W bude 
>> tranzistor o 5,4x1,2=6,5 stupně teplejší, než chladič?
>>
>> Martin Záruba
>> Dne 5.8.2023 v 9:18 Vláďa Anděl napsal(a):
>>> A nechcete tam dát něco normálního, co se používá v 21. století? 
>>> Když kouknete do TME
>>> https://www.tme.eu/cz/katalog/tranzistory-s-kanalem-n-tht_112827/?mapped_params=262%3A1441364%2C1520453%2C1520458%2C1638750%2C1638752%2C1714645%2C1441538%3B
>>> tak třeba AOT2502L za 42 Kč má 150V a 11 mOhm. Má i plnou výkonovou 
>>> zatižitelnost až do max. napětí a avalanche proud mu píšou 40A, 
>>> omezený jen teplotou chipu. Což zdeleka neplatí pro všechny výkonové 
>>> tranzistory. Když tyhle dva dáte paralelně, máte 5,5 mOhm a ztrátový 
>>> výkon 3,5W rozdělěný na dvě pouzdra. Ale musíte počítat s tím, že 
>>> když chlazení ošidíte, při 125 stupních vám naroste odpor na 
>>> dvojnásobek.
>>>
>>> Anděl
>>>
>>> Dne 05.08.2023 v 8:08 Martin Záruba napsal(a):
>>>>
>>>> Potřebuji N mosfet, který by snesl 80V / 25A s co nejmenším RdsOn, 
>>>> protože mám problém ho uchladit. Považujete za dobrý nápad spojit 
>>>> paralelně 3 kusy Tranzistor IRF540NPBF TO220AB | KONDIK.cz 
>>>> <https://www.kondik.cz/tranzistor-irf540npbf/>, který je levný a 
>>>> dostal bych se na RdsOn 15mO
>>>>
>>>> -- 
>>>>
>>>> Martin Záruba
>>>>
>>>> _______________________________________________
>>>> HW-list mailing list  -  sponsored bywww.HW.cz
>>>> Hw-list na list.hw.cz
>>>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>>
>>>
>>>
>>> _______________________________________________
>>> HW-list mailing list  -  sponsored bywww.HW.cz
>>> Hw-list na list.hw.cz
>>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored bywww.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>
>
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored bywww.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20230809/1601be06/attachment.htm>