IRFB4227 maximum safe operating area

Slavo Tomascik stomascik na gmail.com
Pondělí Duben 27 16:02:01 CEST 2015


Myslim, ze velka cast tajomstva sa skryva vo Fig.17 datasheetu
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf
Thermal impedance je pre kratke casy velmi male. Zaroven je tam ten
pohresovany Duty factor.
Podrobnejsie vysvetlenie strana 10
http://www.ixys.com/Documents/AppNotes/IXAN0061.pdf

Slavo T.


2015-04-21 11:58 GMT+02:00 Vláďa Anděl <vaelektronik na vaelektronik.cz>:

>  Dobrý den,
> koukám na datasheet tranzistoru
> http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf strana 4,
> fig.12 a nechápu princip, proč tranzistor snese v závěrném směru v krátkém
> impulzu mnohem větší energii, než při jejím rozložení do většího času.
> Zatím co při délce 10us snese
> 200V*70A*10us=140 mJ
> při délce 100us snese 200V*0,9A*100us=18 mJ
>
> Očekával bych že ta energie bude minimálně stejná, pro hodně dlouhé
> impulzy a trvalé zatížení daná možnostmi chlazení. V čem je problém že to
> takhle nefunguje? To se snad ve struktuře za delší dobu něco nabije a
> zhorší závěrné napětí? Zase na to mi i těch 10us připadá dost.
>
> Anděl
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>
>
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20150427/48fed2bb/attachment-0001.html>


Další informace o konferenci Hw-list