Wear leveling pro AT45DBxxx

[Jaroslav Buchta]

Nedavno tu v nejakem vlakne byl nakousnut tento problem pro bezne FLASH, 
ted bych rad realizoval FAT fs na subj.
YAFFS je asi kanon na vrabce pro tak malou pamet, ale tato flash ma pro 
kazdou 512B stranku 16B navic - vi nekdo o standardnim algoritmu?
Zatim me napada jen v techto 16B udrzovat informace o kazde strance, 
jeste zbyde 14b na ext. hamminguv kod, na zacatku celou pamet precist a 
v RAM si udelat tabulku mapovani sektoru. V kazdem sektoru by byla 
informace o poctu zapisu, logicka adresa - a to asi staci. Pri prepisu 
by se vybral po urcitem poctu e/w cyklu jiny nemapovany blok s nejmensim 
poctem zapisu, tim by se nahradil prepisovany blok.   Asi by bylo dobre 
mit cache pro par bloku  a zapisovat s nejakym zpozdenim, blbe je, ze 
muze dojit k vypnuti pred zapisem ale to se muze stat i primo pri zapisu 
zmen... Zabere to ale dost RAM, pokud je SDRAM tak nebude problem ale 
jinak jo...
k te FLASH nekolik postrehu:
Chapu dobre, ze behem 100000 e/w operaci v jednom sektoru (128 bloku) 
musi byt bloky, kterych se to netykalo, refreshovany r/e/w cyklem?
Asi neni mozne provadet opakovane zapisy bez mazani (nulovat bity)? V 
datasheetu jsem o tom nic nenasel a vzhledem k predchozimu omezeni... 
(YAFFS1 to tak myslim dela a z diskusi jsem vypozoroval, ze nektere NAND 
FLASH to blbe snaseji)

---
This email has been checked for viruses by Avast antivirus software.
http://www.avast.com