trochu se ucim delat s 200 MHz osciloskopem

[Vláďa Anděl]

Po delší době jsem udělal novou verzi destičky s diodou přes spodní FET 
a mezi tranzistorem a blokovacím kondenzátorem jsou už pořádně široké spoje.

Takže k funkci diody - pokud tam nebyla, při dead time, kdy jsou oba 
tranzistory zavřené, teče proud přes substrátovou diodu spodního FETu. 
Napětí na výstupu z tranzistorů je vidět tady
http://vaelektronik.cz/fotky/h_2.gif
jsou to ty cca 0,5us úseky, kde to jde cca na -0,5V. Jak otevře horní 
tranzistor, roste proud substrátovou diodou spodního a než vypne, může 
tam být někoolikanásobek jmenovitého. Když dioda rozepne, někam ta 
energie musí jít. Narůstají tím taky přepínací ztráty, takže tranzistor 
byl horký. Odrušit to byl dost problém.
Teď tam už je schottky dioda - zákmity tam sice jsou, ale podstatně menší.
http://vaelektronik.cz/fotky/h_3.gif
Možná by to přece jen chtělo odpory do G FETů, nebo ještě ryhlejší 
diodu. To sepnutí je opravdu až zbytečně rychlé.
Stejně jako před tím, napětí těch zákmitů je zhruba rovnoměrně rozložené 
na celé délce spoje. Na kondenzátoru je zhruba stejně velké, jako na 
kterémkoliv stejně dlouhém kousku přívodu k němu. Takže skládat různě 
velké kapacity nemá význam.
Ale nic se už nehřeje, na vstupu a výstupu se ta zákmity moc neobjevují
http://vaelektronik.cz/fotky/h_4.gif  výstup pro ledky
http://vaelektronik.cz/fotky/h_5.gif  vstup napájení
http://vaelektronik.cz/fotky/h_7.gif  detail zákmitu na vstupu

Takže tady můj vývoj končí :-)

Anděl





Dne 6.5.2013 16:12, Jan Waclawek napsal(a):
> Re: http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/2013-May/439834.html
>
>> takže na obrazovce je:
>> http://vaelektronik.cz/fotky/hantek17_1.gif
>> žlutá napìtí na spoji tranzistorù dolního D a horního S
>> modrá G horního tranzistoru, ale proti zemi.
> No dobre, ale co je to "zem"? Pouzivate stale ten isty (fyzicky) bod kde
> mate oprety zemny fuz od sondy; a ak ano, tak ktory to je?
>
>> O nelinearitì kapacity samosøejmì vím, u hmoty X7R to není tak strašné
>> (možná pokles pøi max. napìtí o 20%?)
> Alebo aj *na* 20%. Napriklad:
> http://psearch.murata.com/capacitor/product/GRM31CR71H475KA12%23.html
> to je prave X7R/4u7/50V/1206; obrazok "DC bias characteristics" (treba zist
> dole).
> Zavisi to od vyrobcu a od typu; vacsina vyrobcov sa bohuzial s takto
> podrobnymi charakteristikami neunuva.
>
> No a samozrejme, ak je rezonancia niekde okolo 2-3MHz, co je, tak o nejakom
> filtrovani hran na desiatkach ns mozeme viacmenej len snivat.
>
> Preto by ma zaujimalo, ze co sa stane, ak ...
>
>> Paralelnì jsem dal 100nF, jak už jsem psal, pøímo nad pouzdro
>> tranzistoru (C2 je vedle).
> ... by ste dali nie nad puzdro ale priamo na C2. A to nie 100nF, ale skor
> 1nF, ci ich kombinaciu.
>
> Ale este raz, aby to nevyzeralo, ze som posadnuty tym kondikom - netvrdim,
> ze v tom je problem, ale ze je to jedna z veci co moze hrat zaujimavu rolu.
>
>
> ----
> Re: http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/2013-May/439887.html
>
>> Je vidìt, že problémy zpùsobovala substrátová dioda ve spodním FETu,
>> její doba rozepnutí.
> Nerozumiem, prosim vysvetlite. Ta dioda by predsa uz v tom case nemala
> viest, ci ano? A ak aj ano, ako vysvetlite ten zaporny kmit na G spodneho
> tranzistora?
>
> Dakujem
>
> wek
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>