trochu se ucim delat s 200 MHz osciloskopem

[Vláďa Anděl]

O časování FETů nejde, to dělá budič automaticky.

Při slabém budiči je problém během nárůstu napětí udržet spodní FET 
zavřený, ale vypadá to, že i tady jsem se bál zbytečně. Ono se mi tam 
sice v zákmitech objevovalo skoro 5V, ale zjistil jsem že ta 60 MHz 
sonda si na 150 MHz tak trochu vymýšlí a dokonce ty zákmity vypadají 
úplně jinak, když začnu přepínat velikost paměti u osciloskopu. Připadá 
mi to asi podobné, jako to vyhlazování křivek, co na grafech umí udělat 
Excel. A pak něčemu věřte... Když si ty 150 MHz vlnky odmyslím (na 
vstupní kapasitě FETu 1nF je to asi blbost), napětí G spodního FETu 
vyleze na 2V, což je ještě v pohodě. Otevírat se začne až na 3,5 až 4V.

Ještě dělám měření na jiném (prototypovém) měniči, kde je všechno 
studené, ale který běhá jen na 50 KHz.
Takže - jak člověk snadno podlehne poplašné zprávě...

tranzistor T1 ač podle mých předpokladů měl být studený, byl horký. 
Výkonovou ztrátu jsem počítal blbě - dead time jsem během periody 
počítal jeden a jsou tam dva, 460 a 520 ns. Bylo tam něco přes 150 KHz, 
doba periody 6,5us. Při proudu 1A udělá dead time 105mW. K tomu cca 75mW 
na Rdson a nějaké přepínací ztráty a jsme na 250-300mW. K těm ztrátám - 
ještě je problém, že během dead time teče proud přes substrátovou diodu, 
která není shotky a není zrovna nejrychlejší. Píšou jí recovery time 
50ns. Právě tohle může způsobovat ty zákmity při sepnutí horního FETu, 
při spínání spodního probíhá všechno v pořádku a bez zákmitů. Při těch 
zákmitech mohou být přepínací ztráty ještě větší, než k čemu jsem se 
dopočítal, protože před rozepnutím diody naroste proud na víc než na ten 
1A :-( Pouzdro SO8 má 50K/W a takhle prstem se ta teplota blbě odhaduje 
- kdyby měl třeba jen 60 st, může se to zdát horké a při tom o nic nejde.
Možná by pro odrušení stačilo paralelně k spodnímu FETu přidat shotky 
diodu, ale to už bych si u 1A měniče musel připadat jak pako. Ale 
zkusím, co to udělá.

U stejně zapojeného měniče, se stejnými průběhy při spínání je všechno 
studené, protože dead time je vzhledem k periodě krátký a klesnou i 
další přepínací ztráty.

Ohledně té horké (odcházející) diody D3 - při zákmitech 150 MHz je doba 
periody 6,6ns, dioda má dobu rozepnutí 4ns. Možná v tom je problém - po 
odstranění zákmitů i při kmitočtu měniče 150 KHz už dioda tak horká 
nebyla a při 50 KHz je studená.

Takže - jak píšete, je IN všude místo diod strkat FETy, ale taky je IN 
dělat tyhle měnie na co nejvyšším kmitočtu. Jen to jaxi obojí nějak 
nejde dohromady - nebo jo, ale s integráčem, který obsahuje všechno 
(budič, výkonové tranzistory) a všechno je to optimalizované tak, aby 
nenastávaly problémy.

Anděl

Dne 4.5.2013 3:42, Milan Mlynarčík napsal(a):
> Kupodivu si tuto Vasu (predpokladam spravnu) pripomienku skoro nikto 
> nevsimol. Pokial by namiesto spodneho FETu  bola Schotky dioda, asi by 
> to fungovalo bez problemu. Ale teraz je IN tam vsade pchat FETy a 
> pokial sa pouzije nespravne casovanie (co je v pripade diody 
> automaticky), je o problem postarane.
>
>
>
>                                               Milan  Mlynarčík
>
>
>
>
> ----- Original Message ----- From: "Petr Simek"
>
> Jak je to buzene ? Jde o to ze pokud ten spodni FET zustane sepnuty
> delsi dobu nez se vybiji civka tak se ta civka zacne nabijet obracene
> z C9 a pak pri sepnuti horniho FETu bude tlacit proud zpet do napajeni
> a to by mohlo delat ty peaky na napajeci vetvi.
>
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>