Paralelni razeni MOSFETu v lin. rezimu

[Pavel Hudecek]

Těmi neopovrhuji. Od katalogových údajů a výpočtů jsem začal, ale závěr je 
zatím takový něco mezi: Při malém počátečním rozdílu teplot se tento již při 
poměrně malých odporech nejspíš nebude moc zvyšovat, když bude zajištěn 
dobrý tepelný kontakt. Jenže prahové napětí není pro běžné aplikace nijak 
zvlášť důležitý údaj, takže jsem např. nenašel nic o tom, jak se jednotlivé 
ks mohou lišit a jaké statistické rozložení očekávat.

Co se simulací týče, poraďte prosím simulátor, který řeší i dynamické 
teplené jevy a interakce tranzistorů na chladiči.

PH

From: "Jan Waclawek" <konfera na efton.sk>
A katalogovymi udajmi, vypoctami, simulaciami apod. opovrhujete z principu, 
alebo to len pokladate za neadekvatne realite

-----Original Message-----
> Testy si představuji zhruba tak, že je dám na chladič budu provádět
> různá trápení, jako např. připojení maximální zátěže, či zkratování
> při nastaveném max. proudu, zkratování při již připojené velké zátěži,
> ... prostě různé věci, co ne zcela dobře fungující zdroje namají rády.
> Tohle všechno samozřejmě za různých teplotních podmínek, od právě
> vyndané z mrazáku, po 130 °C na chladiči.