Spinaci tranzistor 3A

[Jirka]

Kromě toho (připomínám jen pro úplnost) při použití bipolárního T 
potřebujete značný výkon pro otevřený stav, takže 1) musí být k 
dispozici, 2) protopíte ho zpravidla na předřadných odporech.

Pane Lukeshi, mám rád staré osvědčené technologie, materiály a věci a 
"in" mě naprosto nezajímá (pokud přímo nenasírá), ale v souboji MOSFET 
vs. bipolár u mě zpravidla vítězí MOSFET.

---
Jirka

> No, pro uvažovaný proud s běžnými NPN nedosáhnete dostatečně malého
> Uces, takže budete asi muset chladit. Kromě toho i bipolárnímu T při
> větších proudech a krátkých rozpínacích časech musíte z báze odvádět
> nahromaděné nosiče, takže chce též tvrdé buzení.
>
> Ovšem použitý IRLR024 má katalogově Rdson 100 mOhm, takže na něm při
> otevření bude cca 900 mW, to taky není úplně málo, pokud není chlazen
> (připájen na dostatečně velkou plochu Cu fólie).
>
> Cgs má typicky 870 pF, což se 100 Ohm budícího odporu (reálně bude víc,
> protože výstup PICu má též nějakou impedanci) dává min. 87 ns časovou
> konstantu pro sepnutí/vypnutí (vliv Cdg zanedbávám). Tam tedy problém
> moc nebude.
>
> Dal bych MOSFET s menším Rdson a protože bude mít větší Cgs, tak bych ho
> budil z totem-pole transistorové kombinace (obrázek jsem už uváděl),
> zapojené mezi MCU a MOSFET. Odpor do G bych pak volil menší, aby se
> časová konstanta výrazně neprodloužila.
>
> ---
> Jirka
>
>> Někdy je lepší, než složitě řešit, aby neodešel FET, dát tam obyčejný NPN,
>> ale to zase není dost IN