Spinaci tranzistor 3A
Jirka
zaloha na volny.cz
Pondělí Září 24 10:44:36 CEST 2012
No, pro uvažovaný proud s běžnými NPN nedosáhnete dostatečně malého
Uces, takže budete asi muset chladit. Kromě toho i bipolárnímu T při
větších proudech a krátkých rozpínacích časech musíte z báze odvádět
nahromaděné nosiče, takže chce též tvrdé buzení.
Ovšem použitý IRLR024 má katalogově Rdson 100 mOhm, takže na něm při
otevření bude cca 900 mW, to taky není úplně málo, pokud není chlazen
(připájen na dostatečně velkou plochu Cu fólie).
Cgs má typicky 870 pF, což se 100 Ohm budícího odporu (reálně bude víc,
protože výstup PICu má též nějakou impedanci) dává min. 87 ns časovou
konstantu pro sepnutí/vypnutí (vliv Cdg zanedbávám). Tam tedy problém
moc nebude.
Dal bych MOSFET s menším Rdson a protože bude mít větší Cgs, tak bych ho
budil z totem-pole transistorové kombinace (obrázek jsem už uváděl),
zapojené mezi MCU a MOSFET. Odpor do G bych pak volil menší, aby se
časová konstanta výrazně neprodloužila.
---
Jirka
> Někdy je lepší, než složitě řešit, aby neodešel FET, dát tam obyčejný NPN,
> ale to zase není dost IN
Další informace o konferenci Hw-list