JFET na 50V

Jan Waclawek konfera na efton.sk
Neděle Prosinec 30 09:59:08 CET 2012


Zakladny rozdiel je v tom, ze kym v JFETe je kanal vytvoreny priamo v "hlbke" polovodica, u MOSFETu je to na povrchu. Povrch je vzdy problematicky, pretoze je tam jednak znecistenie zo spracovania substratu; ale aj u epitaxnych substratov je na rozhrani v konecnom dosledku porusena krystalicka struktura, takze sa vytvaraju rozne tzv. povrchove stavy, ktore ked "okolo nich prechadzaju" nosice naboja, tak sa v nich rozne zachytavaju a uvolnuju, co je zdrojom spomenuteho sumu a zrejme s nimi suvisi aj ten prieraz.

U ne-kremikovych tranzistorov (GaAs a ine A3B5, castokrat HEMTy, co umoznili "satelitnu revoluciu" okrem ineho) je naviac nemozne vytvorit kvalitnu tenku izolacnu vrstvu, takze tie su z principu JFETy.

wek


PS. Ze nakolko vazna je moja ignorancia veci praktickych ukazuje aj to, ze som bol skalopevne presvedceny, ze MEMS mikrofony su dnes prevazujuci standard - urcitu dobu ma MEMS zaujimalo a to mnozstvo firiem a firmiciek oznamujucich coraz lepsie a lepsie MEMS mikrofony vo mne vzbudili dojem, ze ine sa dnes uz ani nerobi... :-)




----- Original Message ---------------
> 30.12.2012, 9:11:36
>
>Min sumi (NF), jsou odolnejsi proti prurazu hradla. Pravdepodobne maji
>ponekud jinou prevodni charakteristiku -> mensi zkresleni, mozna jsou
>vyrobne levnejsi !!! .
>
>S pozdravem Pavel
>  mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz
>
>--
>Jaroslav Buchta napsal:
>
>> A jaka je vyhoda JFET proti modernim MOSFET? (krome teda posunu napeti
>> na G) Ja to chapal, ze JFET se vyrabely proto, ze technologie  MOSFET 
>> nebyla jeste moc dokonala a s izolovanym G se nedalo dosahnout 
>> pozadovanych parametru.
>


Další informace o konferenci Hw-list