Paralelizace vyk. prvku

[Jirka]

Přiznám se, že úvahu jsem moc nepochopil (zejména tu větu o rozptylu 
parametrů versus toto zapojení).

Jinak transistory se paralelně řadí tak, že se jim dá malý odpor do 
EMITORU, ne do kolektoru. Vzniká na něm žádoucí záporná zpětná vazba, 
která rozdíly vyrovnává. Taky se to dá pochopit tak, že z transistorů 
vzniknou řízené proudové zdroje se stejnými snímacími odpory a společným 
řízením.

Nějak jsem nikdy moc neviděl smysl konstrukcí s posilovaným třísvorkovým 
výkonovým regulátorem - tím méně zde, když je stejně okolo spousta 
dalších prvků, včetně OZ.

Volil bych klasickou konstrukci s nízkovýkonovou referencí, zesilovačem 
odchylky a pořádným budícím a výkonovým stupněm, zřejmě doplněnou o std. 
snímací odpor a omezení (regulaci) proudu.

Příslušných schémat je moře, jde skutečně o klasiku.

Na místě výkonového transistoru bych zvážil MOSFET(y), mají kladný 
teplotní součinitel (tedy se snadno řadí paralelně), netrpí druhým 
průrazem a mají mnohem lepší SOAR.

---
Jirka

> Zdravím,
> přemýšlím nad podstatným proudovým posílením tohoto zdroje
> http://www.hw.cz/teorie-a-praxe/konstrukce/konstrukce-laboratorniho-zdroje-0-30v-0-5a.html#comment-9
> až asi na 15A(s rezervou) na 35V pomocí paralelního řazení výkonových
> tranzistorů(BD250x). Rozptyl parametrů tranzistorů mi v tomto zapojení
> připadá i přes přidání vyrovnávacích rezistorů na jejich kolektory
> natolik velký a důležitý, že posílení proudu tímto způsobem, vzhledem
> k nutné napěťové regulaci, nebude možné.
> Mohli byste se prosím k této úvaze vyjádřit?
> S pozdravem,
> Miloš Dašek