Re: paralelni chod MOSFETu

[Honza]

Ja jsem s tim mel dost problemy... rozhodne bych doporucil separatni odpory do GATE... 

V opacnem pripade se mi vlivem parazitnich kapacit a indukcnosti zacal prelevat naboj mezi jednotlivymi gejty a tranzisotry se pri zavirani rozkmitaly... a nasledne roztavily...

H.


> ------------ Původní zpráva ------------
> Od: Vláďa Anděl <vaelektronik na vaelektronik.cz>
> Předmět: Re: paralelni chod MOSFETu
> Datum: 12.7.2011 11:38:42
> ----------------------------------------
> Děkuji, udělám to tak.
> Anděl
> 
> Dne 12.7.2011 8:52, Tomáš Hamouz napsal(a):
> > Myslím že by bylo lepší mít společný odpor a všechny hradla paralelně.
> > Když to uděláte separátně, tak si díky toleranci součástek spíš
> > zvyšujete riziko že se nebudou zavírat stejnoměrně.
> > A jak psal p. Meduna, FETy se balancují samy.
> >
> > Tomáš
> >
> >
> > JM>  DD, podle pouzdra usuzuji, ze tranzistory budou na chladici.
> > JM>  Proto bych se nebal tam dat jeden spolecny ridici obvod. O zbytek
> > JM>  se postara matka priroda a zaporny teplotni koeficient uzitych
> > JM>  tranzistoru, ktery privira kanal se vzrustajici teplotou(-13mV/C,
> > JM>  katalogove rozmezi linearni oblasti je 2000 mV – tj. da se
> > JM>  ocekavat, ze tam bude normalni rozdeleni s maximem nekde kolem
> > JM>  prostrednich 500 mV). Neni to sice zcela ciste reseni, ale
> > JM>  predpokladam, ze neco takoveho chcete slyset. Diskuze o SOA je na
> > JM>  podobne tema a podle uvedeneho datasheetu by bylo rozumne si tam
> > JM>  nechat nejaky bezpecnostni koeficent, vzhledem k uvedenym
> > JM>  parametrum bych to v tomto konkretnim pripade (3 us/120 V/150 A) nastavil
> na +20%.
> >
> >
> >
> > _______________________________________________
> > HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> > Hw-list na list.hw.cz
> > http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
> 
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
> 
> 
>