paralelni chod MOSFETu

[Vláďa Anděl]

Děkuji, udělám to tak.
Anděl

Dne 12.7.2011 8:52, Tomáš Hamouz napsal(a):
> Myslím že by bylo lepší mít společný odpor a všechny hradla paralelně.
> Když to uděláte separátně, tak si díky toleranci součástek spíš
> zvyšujete riziko že se nebudou zavírat stejnoměrně.
> A jak psal p. Meduna, FETy se balancují samy.
>
> Tomáš
>
>
> JM>  DD, podle pouzdra usuzuji, ze tranzistory budou na chladici.
> JM>  Proto bych se nebal tam dat jeden spolecny ridici obvod. O zbytek
> JM>  se postara matka priroda a zaporny teplotni koeficient uzitych
> JM>  tranzistoru, ktery privira kanal se vzrustajici teplotou(-13mV/C,
> JM>  katalogove rozmezi linearni oblasti je 2000 mV – tj. da se
> JM>  ocekavat, ze tam bude normalni rozdeleni s maximem nekde kolem
> JM>  prostrednich 500 mV). Neni to sice zcela ciste reseni, ale
> JM>  predpokladam, ze neco takoveho chcete slyset. Diskuze o SOA je na
> JM>  podobne tema a podle uvedeneho datasheetu by bylo rozumne si tam
> JM>  nechat nejaky bezpecnostni koeficent, vzhledem k uvedenym
> JM>  parametrum bych to v tomto konkretnim pripade (3 us/120 V/150 A) nastavil na +20%.
>
>
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list