paralelni chod MOSFETu

[Vláďa Anděl]

Dobrý den,
mám takovou aplikaci, kde je více paralelních MOSFETů, spínám na nízkém 
kmitočtu cca 120V 150A. Sepnutí je rychlé, rozepnutí z mnoha důvodů 
(potlačení špiček, odrušení) trvá cca 3 mikrosekundy. Takže v sérii s G 
je odpor paralelně s diodou.
Teď řeším problém, co je výhodnější.
a. G všech tranzistorů spojené paralelně, před tím jeden odpor s diodou
b. před G každého tranzistoru samostatný odpor a dioda

v případě a bude vadit rozdíl prahového napětí jednotlivých tranzistorů, 
některé tranzistory během rozepínání mohou převzít většinu proudu navíc 
v lineárním režimu.

v případě b předpokládám, že napětí G každého tranzistoru klesne na 
hodnotu, kdy dochází k zavírání a tam se zpětnovazební kapacitou udrží - 
u každého tranzistoru může být to napětí jiné. I když nevím, když napětí 
na D bude stoupat u všech stejně. Zase ale stačí aby kapacita 
tranzistorů byla rozdílná a převážnou část proudu přeberou ty nejpomalejší.

Co mi doporučíte? Budu tam dávat IRFB4227
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf
v grafu Maximum safe operating ara lze najít 70A 200V nebo 100A 150V 10us

Nebo si s tím dělám příliš velké starosti?

Anděl
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20110711/92f2e65d/attachment.htm>