<!DOCTYPE HTML PUBLIC "-//W3C//DTD HTML 4.01 Transitional//EN">
<html>
<head>
<meta http-equiv="content-type" content="text/html; charset=ISO-8859-2">
</head>
<body bgcolor="#ffffff" text="#000000">
<font size="+1">Dobrý den,<br>
mám takovou aplikaci, kde je více paralelních MOSFETů, spínám na
nízkém kmitočtu cca 120V 150A. Sepnutí je rychlé, rozepnutí z
mnoha důvodů (potlačení špiček, odrušení) trvá cca 3 mikrosekundy.
Takže v sérii s G je odpor paralelně s diodou. <br>
Teď řeším problém, co je výhodnější.<br>
a. G všech tranzistorů spojené paralelně, před tím jeden odpor s
diodou<br>
b. před G každého tranzistoru samostatný odpor a dioda<br>
<br>
v případě a bude vadit rozdíl prahového napětí jednotlivých
tranzistorů, některé tranzistory během rozepínání mohou převzít
většinu proudu navíc v lineárním režimu.<br>
<br>
v případě b předpokládám, že napětí G každého tranzistoru klesne
na hodnotu, kdy dochází k zavírání a tam se zpětnovazební
kapacitou udrží - u každého tranzistoru může být to napětí jiné. I
když nevím, když napětí na D bude stoupat u všech stejně. Zase ale
stačí aby kapacita tranzistorů byla rozdílná a převážnou část
proudu přeberou ty nejpomalejší. <br>
<br>
Co mi doporučíte? Budu tam dávat IRFB4227<br>
<a class="moz-txt-link-freetext" href="http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf">http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf</a><br>
v grafu Maximum safe operating ara lze najít 70A 200V nebo 100A
150V </font><font size="+1">10us<br>
<br>
Nebo si s tím dělám příliš velké starosti?<br>
<br>
Anděl<br>
</font>
</body>
</html>