<!DOCTYPE HTML PUBLIC "-//W3C//DTD HTML 4.01 Transitional//EN">
<html>
  <head>

    <meta http-equiv="content-type" content="text/html; charset=ISO-8859-2">
  </head>
  <body bgcolor="#ffffff" text="#000000">
    <font size="+1">Dobrý den,<br>
      mám takovou aplikaci, kde je více paralelních MOSFETů, spínám na
      nízkém kmitočtu cca 120V 150A. Sepnutí je rychlé, rozepnutí z
      mnoha důvodů (potlačení špiček, odrušení) trvá cca 3 mikrosekundy.
      Takže v sérii s G je odpor paralelně s diodou. <br>
      Teď řeším problém, co je výhodnější.<br>
      a. G všech tranzistorů spojené paralelně, před tím jeden odpor s
      diodou<br>
      b. před G každého tranzistoru samostatný odpor a dioda<br>
      <br>
      v případě a bude vadit rozdíl prahového napětí jednotlivých
      tranzistorů, některé tranzistory během rozepínání mohou převzít
      většinu proudu navíc v lineárním režimu.<br>
      <br>
      v případě b předpokládám, že napětí G každého tranzistoru klesne
      na hodnotu, kdy dochází k zavírání a tam se zpětnovazební
      kapacitou udrží - u každého tranzistoru může být to napětí jiné. I
      když nevím, když napětí na D bude stoupat u všech stejně. Zase ale
      stačí aby kapacita tranzistorů byla rozdílná a převážnou část
      proudu přeberou ty nejpomalejší. <br>
      <br>
      Co mi doporučíte? Budu tam dávat IRFB4227<br>
      <a class="moz-txt-link-freetext" href="http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf">http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf</a><br>
      v grafu Maximum safe operating ara lze najít 70A 200V nebo 100A
      150V </font><font size="+1">10us<br>
      <br>
      Nebo si s tím dělám příliš velké starosti?<br>
      <br>
      Anděl<br>
    </font>
  </body>
</html>