Analyza obvodu FETdiody
Vláďa Anděl
vaelektronik na vaelektronik.cz
Pondělí Srpen 23 13:16:54 CEST 2010
Takže
1. kdyby ten FET měl trvale nulové řídící napětí, fungovala by v něm
substrátová dioda a tedy FET by fungoval jako dioda.
2. Kanál FETu je unipolární, to znamaná že když ho kladným napětím řídící
elektrody otevřu (uvažujeme typ N), vede mezi S a D v obou směrech. Nebýt té
substrátové diody (jak je to u J- FETů) byl by symetrický i pro vyšší napětí
než 0,6V. Takhle je symetrický pouze pro napětí pod 0,6V.
3. Mám tedy diodu, u které můžu v propustném směru (ve kterém se otevírá
substrátová dioda) snížit úbytek tím, že kanál otevřu. A k tomu je tam ten
zesilovač.
V tom článku je vysvětleno jak se FET řídí, že je optimální ho otevírat
lineárně při překročení nastaveného úbytku. Tak je taky zesilovač udělaný.
Tranzistor T2 otvírá při napětí báze-emitor >0,6V. Tranzistor T3 kompenzuje
napětí báze-emitor tranzistoru T2, takže celý zesilovač komparuje někde
okolo nuly. Při kladném vstupním napětí zesilovač sepne a FET má nulové
řídící napětí. Pro FET diodu je to závěrný směr.
Při záporném napětí FET dostane kladné řídící napětí a vede. Aby zapojení
bylo stabilní, musí řídící napětí narůstat až po překročení nějakého úbytku
(je vysvětleno v původním článku). K posunu rozhodovací úrovně slouží R5.
Vytvoří s R4 dělič, ktrerý např. při 10V na C1 posune rozhodovací úroveň o
50 mV.
Aby to fungovalo, musí být vstupní kapacita FETu jen taková, aby jeho
sepnutí a hlavně rozepnutí bylo dost rychlé. FETy pro vyšší napětí mají
zpětnovazební kapacitu dost velkou, aby se při nárůstu napětí snažila FET
otevřít. Budič musí ten FET udržet zavřený. Samosřejmě taky jeho úbytek v
propustném směru musí být o dost menší než 0,6V, jinak by nemělo význam
tohle celé dělat.
Anděl
----- Original Message -----
From: <prisaha na volny.cz>
To: <hw-list na list.hw.cz>
Sent: Monday, August 23, 2010 11:34 AM
Subject: Analyza obvodu FETdiody
Dobry den,
snazim se proniknout do elektroniky a analyzi obvodu a popravde v
tom plavu.
Nasel jsem tento clanek
http://hw.cz/Teorie-a-praxe/Navrhy-vyvojare/ART82-FETdioda.html a
pokousim se zjistit jak to cele ma tungovat.
Mohl by mi nekdo pomoci a pro zacatecniky popsat jak se tento obvod
analyzuje?
Ja jeste tak pochopim, ze kdyz na A pripojim zdroj, na K nejake C a
zatez tak pri prvnim pripojeni, rekneme kladne pulvlny zacne po te
co napeti na T2 preleze 0,6V prochazi proud substratovou diodou T1 a
zacne se nabijet C na K, proud dece zatezi, pokud napeti na K
preleze 0,6V zacne prochazet proud D1 a nabiji se C1. Zem pro obvod
tedy asi tvori A respektive zaporny pol C1.
Obvod T2,T3,R1,R2 tvori zesilovac, ktery zesiluje informaci pro T1.
D2 omezuje max napeti na G T1.
Nicmene stejne nevim jak to funguje a jaky je vyznam R4 R5 a hlavne
si to neumim predstavit, co se bude dit v druhe pulvlne atd.
Poradite?
V neposledni rade, si stejne myslim, ze proud z C na katode potece
skrz T1 zpet do zdroje na A a ucinnost toho celeho bude podstatne
horsi nez se v clanku uvadi. Kdyby to bylo tak vyhodne tak se
vsadim, ze by to uz nekdo delal jako soucastku a pritom se stale
pouzivaji klasicke diody.
Nebo se pletu?
Dekuji vsem za pomoc
Pavel
_______________________________________________
HW-list mailing list - sponsored by www.HW.cz
Hw-list na list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
Další informace o konferenci Hw-list