AW: BUZ11 paralelne
Jirka
zaloha@volny.cz
Pátek Červenec 23 17:46:03 CEST 2004
Kaliciak, Richard napsal(a):
> Dobry den,
>
> ako jedna z vyhod pri pouziti koncovych MOSFET tranzistorov v
> zosilnovacoch je prave paralelne spojenie FETov pre vyssi vykon.
> Napriklad taky DPA330:
> http://margo.student.utwente.nl/el/ampz/sch330.html Samozrejme ze
> musia byt rovnake a na spolocnom chladici, ale o tom sa tu uz
> hovorilo. Este je rozdiel v chovaniu medzi lateralnych a vertikalnych
> tranzistorov MOSFET. Nieco k tejto teme (zosilnovace) je uvedene tu:
> http://www.zesilovace.cz/view.php?cisloclanku=2003111801
>
Clovek na druhem linku je sice jeste vetsi spisovatel nez JB nebo ja,
ale o MOSFETech tam rika "uplnyho datla" snad s vyjimkou toho, ze
potvrzuje nevhodnost IRF apod. pro linearni pouziti a velmi okrajove se
dotyka zde popisovane problematiky rozdilnosti charakteristik
("vyrovnavaci odpory"). Taky tam snad zminuje, ze DPA330 nebyl
konstruovan pro tak strme typy IRF, jako jsou dnes (to jsem prelozil do
"technictejsiho" jazyka).
Takze na tom, co zde uvadi JB, ja nebo nekteri ostatni o paralelnim
razeni MOSFETu v linearnim rezimu, neni treba vubec nic menit.
I kdyz k te vhodnosti linearniho rezimu obecne: IRF9540 mi pracuje ve
vicemene klasickem regulovatelnem zdroji 0-45V/0-2A na pozici koncoveho
stupne k naproste spokojenosti. Po predchozich rozsahlych experimentech
s nejruznejsimi bipolary je to jediny prvek, ktery dlouhodobe snasi
velmi hrube zachazeni (cemuz se clovek v laboratori obcas nevyhne).....
--
Jirka
Další informace o konferenci Hw-list