AW: BUZ11 paralelne

[Kaliciak, Richard]

Dobry den,

ako jedna z vyhod pri pouziti koncovych MOSFET tranzistorov v zosilnovacoch je prave paralelne spojenie FETov pre vyssi vykon. Napriklad taky DPA330:
http://margo.student.utwente.nl/el/ampz/sch330.html
Samozrejme ze musia byt rovnake a na spolocnom chladici, ale o tom sa tu uz hovorilo. 
Este je rozdiel v chovaniu medzi lateralnych a vertikalnych tranzistorov MOSFET. Nieco k tejto teme (zosilnovace) je uvedene tu:
http://www.zesilovace.cz/view.php?cisloclanku=2003111801

Richard Kaliciak

> 
> Snadnost paralelniho razeni MOSFETu plati pro spinaci rezim, kdy se 
> (staticky vzato) uplatnuje pouze Rdson, ktery ma kladny teplotni 
> soucinitel (cili vice zatizeny transistor zvysi teplotu -> 
> zvysi Rdson a 
> proud "prebere" ten druhy). Pro linearni rezim je vse zcela jinak, 
> protoze prahova napeti muzou mit znacny rozptyl, strmost take 
> a tak se 
> jednoduse stane, ze pracuje vlastne pouze jeden transistor...
> 
> Proc odesel je otazka, mozna by nebylo od veci vse analyzovat 
> a spocitat 
> znovu, posoudit kvalitu chlazeni apod.
> 
> 
> -- 
> Jirka
>