AW: Ochrana zarizeni

[Kaliciak, Richard]

Da sa pouzit aj MOSFET s nizkym otvaracim napatim, napr IRF7314. Vyhoda: maly ubytok napatia, ziadna spotreba. 
Kedze je tam ale ochranna dioda v protismere, tak ho treba zapojit v zavernom smere. Podobne, ako je to urobene pre FET-DIODU.
Alebo pouzit typ bez diody.


Richard Kaliciak

> -----Urspr?ngliche Nachricht-----
> Von: Martin Z?ruba [mailto:swz@volny.cz]
> Gesendet: Freitag, 14. Februar 2003 15:07
> An: hw-news@list.gin.cz
> Betreff: Re: Ochrana zarizeni
> 
> 
> To je perfektni napad. Pokud vydrzi prechod BE pri 
> prepolovani a v normalnim rezimu je tranzistor zcela otevren, 
> bude ubytek na nem mozna mene jak 100mV. Snad jedina nevyhoda 
> je, ze pres odpor tece stale proud i kdyz je zarizeni vypnute.
> 
> Martin Zaruba
> ----- Original Message ----- 
> From: jiri@bezstarosti.cz 
> To: 'hw-news@list.gin.cz' 
> Sent: Friday, February 14, 2003 2:22 PM
> Subject: RE: Ochrana zarizeni
> 
> 
> Mozna ted placnu blbost, tak mne prosim
> kdyz tak ukamenujte (prosim, jen slovne) :).
> 
> Kdyby se vzal PNP tranzistor a zapojil:
> 
> +In o---\   /---o +Out
>          V /
>         ----- PNP
>           |
>           /
>           \
>           / R
>           \
>           /
>           |
>           |
> GND o-----+-----o GND
> 
> Pri prepolovani nizkym napetim by se tranzistoru nemelo
> nic dit a proud opacne do zarizeni nepotece. Otazka
> je, jaky bude ubytek napeti na tom tranzistoru pri spravne
> polarite, ale to uz zavisi na pozadovanem proudu a jiste
> i typu tranzistoru.
> 
> --
> Jiri Bezstarosti
>