Re: Dioda s malým úbytkem

[Pavel Hudeček]

No klasická dioda není ideální spínač, ale nelineátní odpor s R 
klesajícím podle U, kdežto aktivní usměrňovač s miliohmovejma MOSFETama 
je prostě miliohmovej ideální spínač:-)

PH

Dne 20.01.2024 v 21:39 Jan Kuba napsal(a):
> To je presne ono. Ano musi to byt studene. Jenomze ja bych to 
> potreboval uz hotové jako celý mostík, nebo jako 4x diodu. Nechci nic 
> bastlit už proto, že je to dodělávané do profesionálního zařízení.
> Prostě koupit hotové "moduly" diod , osadit a hotovo. Když se tu 
> řešily FV panely mám pocit, že tu nějaká taková hotová součástka jako 
> ideální dioda byla na place.
>
> S tím impulzním proudem tomu přiznám se  moc nerozumím. Normální dioda 
> s úbytkem 0,9V nevede dokud nebude vstupní napětí nad tuto úroveň.  
> Dedy do 0,9V neteče nic, pak začne téct proud diodou.
> Tady vznikne impulz.
> Ten "málo-úbytkový usměrňovač si lze představit jako kontakt, co spíná 
> jen při jedné půlvlně.  A sepne tedy téměř v nule a jak se bude zvedat 
> napětí v půlperiodě, bude se zároveň zvedat proud.
> To , pokud bude reálná, odporová zátěž za můstkem.
>
> Jiná situace bude , když na výstupu budou kondenzátory jako filtr. Tam 
> poteče proud v momentě, kdy napětí před diodou bude větší než napětí 
> na kondenzátoru. Ale jaký bude rozdíl u klasické diody s úbytkem 0,9V a
> mezi kontaktem?
>
>
> so 20. 1. 2024 v 21:15 odesílatel Daniel Valuch <balu na k-net.fr> napsal:
>
>     vymyslene to uz je https://www.analog.com/en/parametricsearch/11518#/
>
>     Tranzistory sa pouziju podla potreby. Da sa zapojit aj niekolko
>     paralelne.
>
>     Je tam ale niekolko diablov. Ak chceme naozaj dosiahnut 100mW
>     strat, tak sa to neda urobit na plosaku, koli nedostatocnemu
>     prierezu medi. A tie tranzistory su naozajstne idealne "diody",
>     maju extremne nizky odpor. Takze v kazdej polperiode ked sa
>     tranzistor otvori tecie do kondenzatora obrovsky impulzny prud,
>     ktory ho nabija. S klasickymi diodami je limitovany v case aj
>     amplitude ich charakteristikou.
>
>     Obvody som pouzil v jednom metrologickom gerete. Je to naozaj cele
>     studene. Za cenu vysokych di/dt.
>
>     b.
>
>
>
>
>     On 20/01/2024 20:24, Jan Kuba wrote:
>>     Jo, u "fetdiody" se dá podobných parametrů dosáhnout. Ale bastlit
>>     to nechci, určitě se něco podobného už vyrábí..
>>
>>
>>     so 20. 1. 2024 v 20:18 odesílatel Jirka Mww <jirka.mww na gmail.com>
>>     napsal:
>>
>>         Ahoj Honzo,
>>         obavam se, ze miris na hranice fyziky. Pri 10A a 100 mW by to
>>         znamenalo ubytek 10mV. Vzhledem  k tomu, ze  v mustku jsou
>>         vzdycky dve diody v serii, tak na jedne by musel byt ubytek 5
>>         mV ,to je dynamicky odpor 0.5 mOhm. Snad jsem se z hlavy
>>         nespletl o rad((::
>>         Mozna ze nejaky extra spinaci FET by to dat mohl.
>>
>>         Zdravi
>>         Jirka Sloupenský  OK1MWW
>>
>>
>>         so 20. 1. 2024 v 19:54 odesílatel Jan Kuba
>>         <honza.kuba na gmail.com> napsal:
>>
>>             Potřeboval bych do můstku k trafu 36V/8A můstek s malým
>>             úbytkem.
>>             Klasický  Si můstek funguje ( za ním 2x 4G7  elyty) ale
>>             dost to topí. A při pokusu nahradit to čtveřicí diod
>>             schottky ( nějaké demontované ) jsem si moc nepomohl,
>>             neboť na diodě je stále 0,6V úbytek. Ke všemu po několika
>>             zapnutích dvě diody přerušené.
>>             Před časem tu šla diskuse o diodách, které přemosťují FV
>>             panely.  Potřeboval bych nějaké min. 10-15A s co
>>             nejmenším úbytkem. O "fetdiodě" vím, bohužel se mi to tam
>>             nevejde, ani se s tím nechci zabývat. Už se prodává něco
>>             hotového ( modul ) nebo dioda , co má při 10A např. 100mW
>>             ztrátu?  Co mám hledat? Nedaří se mi nic najít. Na ceně
>>             nezáleží...
>>
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20240120/5b8eac3a/attachment.htm>