Re: Mosfet s malým RdsOn
Vláďa Anděl
vaelektronik na vaelektronik.cz
Sobota Srpen 5 09:18:16 CEST 2023
A nechcete tam dát něco normálního, co se používá v 21. století? Když
kouknete do TME
https://www.tme.eu/cz/katalog/tranzistory-s-kanalem-n-tht_112827/?mapped_params=262%3A1441364%2C1520453%2C1520458%2C1638750%2C1638752%2C1714645%2C1441538%3B
tak třeba AOT2502L za 42 Kč má 150V a 11 mOhm. Má i plnou výkonovou
zatižitelnost až do max. napětí a avalanche proud mu píšou 40A, omezený
jen teplotou chipu. Což zdeleka neplatí pro všechny výkonové
tranzistory. Když tyhle dva dáte paralelně, máte 5,5 mOhm a ztrátový
výkon 3,5W rozdělěný na dvě pouzdra. Ale musíte počítat s tím, že když
chlazení ošidíte, při 125 stupních vám naroste odpor na dvojnásobek.
Anděl
Dne 05.08.2023 v 8:08 Martin Záruba napsal(a):
>
> Potřebuji N mosfet, který by snesl 80V / 25A s co nejmenším RdsOn,
> protože mám problém ho uchladit. Považujete za dobrý nápad spojit
> paralelně 3 kusy Tranzistor IRF540NPBF TO220AB | KONDIK.cz
> <https://www.kondik.cz/tranzistor-irf540npbf/>, který je levný a
> dostal bych se na RdsOn 15mO
>
> --
>
> Martin Záruba
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list - sponsored bywww.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20230805/d5abdd91/attachment.htm>
Další informace o konferenci Hw-list