Umela zataz

[Jaromir Sukuba]

No jasne, pani akademici. Nam ostatnym musi staci P=U*I a zvysok sa
musi nejako osetrit softwarovo.

st 21. 8. 2019 o 11:14 Daniel Valuch <balu na k-net.fr> napísal(a):
>
> je pravda, ze na pozicii kde 20 rokov pracujem sa vyzaduju urcite
> znalosti elektroniky. Obcas je nutne vediet trochu viac ako P=U*I :-)
>
>
>
> On 21/08/2019 11:05, Jaromir Sukuba wrote:
> > Typicky mor nespravne konstruovanych umelych zatazi je nevhodne
> > zvoleny tranzistor. Autor konstrukcie vidi, ze tranzistor zvladne 80A
> > drainoveho prudu a 100V napatia, takze to mame 8kW, nie? Vela
> > MOSFET-ov (a bipolarov) je robenych na spinacie aplikacie a ma SOAR
> > nevhodne na linearnu aplikaciu a to je potom ten moment kedy je mozne
> > v praxi demonstrovat tzv. prechodne typy polovodicovych suciastok: LET
> > - Light Emitting Transistor - alebo SET - Smoke Emitting Transistor.
> > Tieto typy suciastok su kratkozijucim prechodnym elementom rozpadoveho
> > radu polovodicov; rozpadaju sa na plynnu zlozku a zoskvareny zvysok,
> > castokrat emituju vysokoenergeticky fragment puzdriaceho materialu.
> > Predpokladam ze Dano si v tomto smere urobil svoju domacu ulohu.
> >
> >
>
> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list