TA vs TC?

[David Obdrzalek]

V datasheetu P-MOSFETu IRF4905S 
(https://www.tme.eu/cz/Document/7dcc4202e3eb60eb8cc844c8f8c6d912/irf4905s.pdf) je 
napsáno:
PD @TA = 25°C Power Dissipation 3.8 W
PD @TC = 25°C Power Dissipation 200 W

nějak tomu asi úplně nerozumím; TC je case temperature, TA je v tomto datasheetu 
použito pouze jednou (zde). Mám to chápat tak, že TA je ambient temperature a je to 
max ztrátový výkon bez chladiče s teplotou v okolí 25°C, zatímco 50x vyšší ztrátový 
výkon při TC na číselně stejné teplotě znamená, že pouzdro je aktivně chlazeno na 
tuto teplotu? 

D.O.