H bridge a spinani MOSFET?

[Pavel Hudecek]

Jenže on právě toto nechce:
> minimalizovaly zraty a hlavne mrtvy cas pri spinani.

PH

-----Původní zpráva----- 
From: Jaroslav Lukesh
A proč při přepínání nepoužijete třetí stav ALL OFF? Drivery to obecně umí
(tey aspoň ty pro třídu D zesilovačů, jinak jsem po tom nepátral). To
vybíjení takového proudu diodou, to bych si rozhodně neidealizoval.

----- Původní zpráva ----- 
Od: ludek.drtil na seznam.cz

Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H mustku s integrovanou nabojovou
pumpou,ale maji driivery s  proudy 2 až 3A.. MOSFETY pro velke proudy
vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji kapacitu cca13nF.
Zkusil jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU proudem 2,5A a
vychazi mi podle velikosti prochazejiciho proudu:
Spinaci cas pro zapnuti   100-200ns
Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns (pro 1A dokonce 650 ns)

nabijeni 2,5A zdrojem 12V  přes  odpor 5.6 Ohmu
Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou diodou.