H bridge a spinani MOSFET?

[ludek.drtil na seznam.cz]

Potrebuji vytvořit H mustek pro spinani  2 - 150A (48V), nepotrebuji zadne 
velke spinaci frekvence radove max 700Hz , ale rad bych co nejrychlejsi 
prepinani na polomostu ,aby se minimalizovaly zraty a hlavne mrtvy cas pri 
spinani.
Celkem dnes neni problem najit velky MOSFET, ktery  zvladne realne i 300A s 
odporem kolem 1mOhmu. , trochu hrosi je to s budicem pro takovy mustek.

Nasel jsem nekolik obvodu pro rizeni H mustku s integrovanou nabojovou 
pumpou,ale maji driivery s  proudy 2 až 3A.. MOSFETY pro velke proudy 
vyzaduji pro sepnuti naboj kolem 200nC a maji kapacitu cca13nF.
Zkusil jsem simulovat nabijeni a vybijeni velkeho MOSFETU proudem 2,5A a 
vychazi mi podle velikosti prochazejiciho proudu:
Spinaci cas pro zapnuti   100-200ns
Spinaci cas pro rozepnutí 250-500ns (pro 1A dokonce 650 ns)

nabijeni 2,5A zdrojem 12V  přes  odpor 5.6 Ohmu 
Vybijeni pres stejny odpror s antiparalelne zapojenou diodou. 

Prijde mi to jako relatrivne pomale, aby nedochazelo ke zkratum na polomostu
vyzaduje akce na jedne strane polomostu cca  700-800ns.
Me otazky existuji integrovame budice s nabojovou pumpou, ktere by mel 
vyrazne vyssi budici poud , rekneme 7-8A?
Pripadne uvitam odkaz an reseni mustku s velkymi tranzistory a ne plne 
integrovanym resenim.
Cim rychlejsi spinani a rozpinani velkych proudu tim vetsi ruseni, jde nejak
obecne rici na jakou rychlost se jde dostat a pritom mit rozumne EMC?

Dekuji 
Ludek



------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20171025/7e8c1392/attachment.html>