Tranzistor Sanyo T2SA2039 / 2SC5706

[gatilo]

 30.9.2016, 14:31:20

A proc ne mosfet ?
Popr. overena metoda zvysovani proudove zatizitelnosti je paralelni
razeni.

S pozdravem Pavel
  mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz

--
Jiří Vesecký napsal:

> Díky, zas tak strašné to není. Tyhle exoti jsou někdy i za 20-40tis.
> Ale nevím maximální proud píšou jen Id"trvalý proud" 2,4A.
> Peak jsem nenašel, potřebuji velký peak proud třeba 1000A a víc na 3ns.

> Děkuji za dobrý typ.

> Dne 30.9.2016 v 13:38 Jirka Mww napsal(a):
>> Třeba tohle od NXP :
>>
>> MRF1K50
>>
>>
>> ale nedoplatíte se.
>> Zdravi
>> Jirka Sloupenský  OK1MWW
>>
>>
>> 2016-09-28 5:38 GMT+02:00 Jiří Vesecký <hv-news na seznam.cz>:
>>> Dobrý den.
>>> Nevěděl by někdo poradit něco podobného ale výkonnějšího.
>>> Větší Ic a co možná nejrychlejší spínání tento je něco kolem 400Mhz.
>>> Potřebuji pro krátké pulsy se střídou kolem 1:1 a nejlépe pod 30ns.
>>> To bude asi problém něco najít.
>>>
>>> Díky Jirka.
>>>
>>>
>>> Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
>>> Collector-to-Base Voltage VCBO (--50)80 V
>>> Collector-to-Emitter Voltage VCES (--50)80 V
>>> Collector-to-Emitter Voltage VCEO (--)50 V
>>> Emitter-to-Base Voltage VEBO (--)6 V
>>> Collector Current IC (--)5 A
>>> Collector Current (Pulse) ICP (--)7.5 A
>>> Base Current IB (--)1.2 A
>>> Collector Dissipation PC
>>> 0.8 W
>>> Tc=25°C 15 W
>>> Junction Temperature Tj 150 °C
>>> Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C
>>> Electrical Characteristics at Ta=25°C
>>> Ratings
>>> Parameter Symbol Conditions
>>> min typ max
>>> Unit
>>> Collector Cutoff Current ICBO VCB=(--)40V, IE=0 (--)1 mA
>>> Emitter Cutoff Current IEBO VEB=(--)4V, IC=0 (--)1 mA
>>> DC Current Gain hFE VCE=(--)2V, IC=(--)500mA 200 560
>>> Gain-Bandwidth Product fT VCE=(--)10V, IC=(--)500mA (360)400 MHz
>>> Output Capacitance Cob VCB=(--)10V, f=1MHz (24)15 pF
>>> Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
>>> IC=(--)1A, IB=(--)50mA (--115)90 (--195)135 mV
>>> IC=(--)2A, IB=(--)100mA (--255)160 (--430)240 mV
>>> Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=(--)2A, IB=(--)100mA (--)0.89
>>> (--)1.2 V
>>> Collector-to-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC=(--)10mA, IE=0 (--50)80 V
>>> Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES IC=(--)100mA, RBE=0 (--50)80
>>> V
>>> Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=(--)1mA, RBE=¥ (--)50 V
>>> Emitter-to-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE=(--)10mA, IC=0 (--)6 V
>>> Turn-On Time ton See specified test circuit. (30)35 ns
>>> Storage Time tstg See specified test circuit. (230)300 ns
>>> Fall Time tf See specified test circuit. (15)20 ns
>>>
>>>
>>> _______________________________________________
>>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>>> Hw-list na list.hw.cz
>>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>>>
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list


> _______________________________________________
> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list