IRFB4227 maximum safe operating area

[Vláďa Anděl]

Dobrý den,
koukám na datasheet tranzistoru 
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf strana 
4, fig.12 a nechápu princip, proč tranzistor snese v závěrném směru v 
krátkém impulzu mnohem větší energii, než při jejím rozložení do většího 
času. Zatím co při délce 10us snese
200V*70A*10us=140 mJ
při délce 100us snese 200V*0,9A*100us=18 mJ

Očekával bych že ta energie bude minimálně stejná, pro hodně dlouhé 
impulzy a trvalé zatížení daná možnostmi chlazení. V čem je problém že 
to takhle nefunguje? To se snad ve struktuře za delší dobu něco nabije a 
zhorší závěrné napětí? Zase na to mi i těch 10us připadá dost.

Anděl
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20150421/03e0ea81/attachment-0001.html>