Spinac z bipolarneho tranzistora

[Daniel Valuch]

nebude to vysokou kapacitou b-e a vysokou hodnotou bazoveho rezistora?
Z datasheetu Emitter-base capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1 MHz
Ceb 40pF

vynasobene 47kOhm mi vychadza casova konstanta 1.88us, co zhruba sedi...

b.




On 15/11/2013 15:55, Jan Waclawek wrote:
> Asi sa budem musiet podrobit ritualnemu trhaniu diplomu.
>
> Do udelatora potrebujem z mcu (AVR na 5V) zopnut +12V tak, aby nabezna hrana bola do 1us. Zataz je nepodstatna, do 1mA. Kedze mam plny suplik NPN BCW66, zbastlil som dva za seba, ten prvy T1 ma cez seriovy R1 47K pripojeny pin mcu do bazy, emitor na GND, kolektor na bazu druheho tranzistora T2, ktory je ako emitorovy sledovac, kolektor na zdroj 12V, z neho este R2 22k do bazy, a emitor je vystup (t.j. zataz, povedzme 10k do GND).
>
> Tomuto bazmegu trva od hrany na pine mcu asi 5us kym sa zacne rast napatie na vystupe a dalsich 5us kym narasie na 12V (minus saturacia).
>
> No a vikend je pred dverami... Co s tym takto narychlo? Schottky medzi C-B T1 (katodou na C), ci radsej diodu paralelne s R1 (katodou k mcu), alebo este nieco ine?
>
> (Doplnujuci priblem je, ze som to bastlil na univerzali a podcenil som potrebnu plochu, takze je tam velmi malo miesta... :-( )
>
> Dakujem,
>
> wek
>