Energie na spinani mosfetu
Petr Simek
psimek na jcu.cz
Pátek Březen 15 09:43:57 CET 2013
On Fri, 15 Mar 2013, RV wrote:
> Qg Total Gate Charge 63 nC
> Qgs Gate-to-Source Charge 14 nC
> Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 23 nC
>
> Ciss Input Capacitance 1470pF
> Coss Output Capacitance 360pF
> Crss Reverse Transfer Capacitance 88pF
>
> co vsechny ty parametry znamenaji, ktere jsou pro mne dulezite a jaky
> prikon to buzeni sezere?
Pocital bych to jako energii kterou ulozite do kondenzatoru Gate na jeho
otevreni , to cele X krat kolik spinacich cyklu planujete za vterinu
no a pak pocet Joule bude roven Wattum.
Tu energii vzit jako kapacitu Gate a napeti kterym to planujete budit.
Ale asi tam budou nejake ztraty na budicim tranzistoru, na druhou stranu
ta kapacita mozna klesa s rostoucim napetim..
> Radek Vicek
*------------------------------------------------------------------------*
| Petr Simek APS JU |
| psimek na jcu.cz |
*------------------------------------------------------------------------*
Další informace o konferenci Hw-list