Energie na spinani mosfetu

Petr Simek psimek na jcu.cz
Pátek Březen 15 09:43:57 CET 2013


On Fri, 15 Mar 2013, RV wrote:

> Qg Total Gate Charge   63 nC
> Qgs Gate-to-Source Charge   14 nC
> Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge   23 nC
>
> Ciss Input Capacitance  1470pF
> Coss Output Capacitance  360pF
> Crss Reverse Transfer Capacitance  88pF
>
> co vsechny ty parametry znamenaji, ktere jsou pro mne dulezite a jaky 
> prikon to buzeni sezere?

Pocital bych to jako energii kterou ulozite do kondenzatoru Gate na jeho
otevreni , to cele X krat kolik spinacich cyklu planujete za vterinu
no a pak pocet Joule bude roven Wattum.

Tu energii vzit jako kapacitu Gate a napeti kterym to planujete budit.
Ale asi tam budou nejake ztraty na budicim tranzistoru, na druhou stranu
ta kapacita mozna klesa s rostoucim napetim..

> Radek Vicek

*------------------------------------------------------------------------*
|                          Petr Simek   APS JU                           |
|                             psimek na jcu.cz                              |
*------------------------------------------------------------------------*


Další informace o konferenci Hw-list