FET

[Petr Zapadlo]

Zdravím.



představte si, že místo Fetu máte kondenzátor, jedním koncem na zem, duhý 
konec reprezentuje G.

Pokud ho připojíte na konstantní napětí, tak v ustáleném stavu žádný proud 
neteče.

jestliže se budete snažit zvýšit napětí na tomto kondenzátoru, tak poteče 
proud do G. velikost toho proudu bude daná jen vnitřním odporem toho budiče 
= může být dost vysoký.

Stejně tak, pokud budete napětí G snižovat, bude z kondenzátoru proud 
"odtékat" ven přes G a vy ho musíte mít možnost někam poslat - rezistor mezi
G a S, tranzistor v dolní části můstku budiče atd. Pokud mu tu možnost  
nedáte - např otebřete FET a odpojíte G, tak se napětí bude snižovat jen 
velmi zvolna a taktéž se bude jen velmi zvolna uzavírat ten fet se všemi 
důsledky..




Zapik

---------- Původní zpráva ----------
Od: Michal Grunt <michal.grunt na vynet.cz>
Datum: 3. 6. 2013
Předmět: RE: FET

"Takze pri statickem buzeni bude odber G nulovy, ale pri zmene stavu potece 
G v urcitych pripadeh i docela veliky proud?

________________________________________
Odesílate: hw-list-bounces na list.hw.cz [hw-list-bounces na list.hw.cz] za 
uživatele Lubor Otta [butan na centrum.cz]
Odesláno: 2. června 2013 19:29
To: HW-news
Předmět: Re: FET

Danyk to buzení popisuje výstižně. Přiblížím ještě příklad využití
statického buzení.
Statická aplikace je třeba výstup z prostorového termostatu.
Konzervativní řešení- polarizované relé, moderní řešení fet.
V obojím vydrží 9V baterie klidně celý rok provozu.
Lubor


Dne 2.6.2013 19:07, Michal Grunt napsal(a):
> Zdravím,
> začínám se zajímat o tranzistory FET a něco mi není jasné. Tranzistor se 
ovládá velikostí napětí na gate a neteče tam skoro žádný proud. To jsem se 
dočetl na webu, ale možná jsem to špatně pochopil, protože tady sepíše něco 
jiného:
>
> http://danyk.cz/mosfety.html
>
> Budič gejtu
> Přechod G-S se chová jako kondenzátor. Ve statickém stavu neteče proud, 
ale pro zavření nebo otevření MOSFETu je potřeba dostatečný proud do gejtu, 
tedy dostatečně tvrdý budič. Zvlástě při zavírání MOSFETu je potřeba velký 
proud gejtem (tekoucí ven), protože se nevybíjí jen kapacita G-S ale také 
tzv. Millerova kapacita G-D. Ta je v případě obvodů napájených ze sítě 
nabita na 300 - 500V a při vzrůstu napětí na drejnu má tendenci zvyšovat 
napětí i na gejtu. To může způsobit částečné otevření tranzistoru ve chvíli,
kdy už má být zavřený, což vede k jeho zničení !!!
>
> Jak to tedy je? Děkuji
>
> MG
> _______________________________________________
> HW-list mailing list - sponsored by www.HW.cz
> Hw-list na list.hw.cz
> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>

_______________________________________________
HW-list mailing list - sponsored by www.HW.cz
Hw-list na list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
_______________________________________________
HW-list mailing list - sponsored by www.HW.cz
Hw-list na list.hw.cz
http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list"
------------- další část ---------------
HTML příloha byla odstraněna...
URL: <http://list.hw.cz/pipermail/hw-list/attachments/20130603/32e4428b/attachment.htm>