Citlivost pouzdra SDRAM na statickou el. ???

[Hfmcons]

Možná nějaká vodivost pouzdra.
S pozdravem,
Miloš Dašek

Jaroslav Buchta <jaroslav.buchta na hascomp.cz>napsal/a:

>To me napadlo taky, ale pripajene je to dokonale (je to prototyp tak 
>jsem tomu venoval peci) a tlak jinym izolantem nema vliv. A delaji to 
>oba kusy (D0-D15 a D16-D31) takze vadu kusu muzeme take vyloucit. A jsou 
>to tyto: AS4C4M16S-7TCN z TME.
>Dne 30.9.2012 15:23, Petr Tosovsky napsal(a):
>> Spis bych si tipl chybne pripajene pouzdro (mechanicky tlak zmeni 
>> elektricke parametry) nebo mozna i nejakou mikro prasklinu v pouzdru. 
>> Zas tak citlive SDRAM nejsou,
>>
>> Tosa
>>
>>
>> On 29.9.2012 22:23, Jaroslav Buchta wrote:
>>> To asi ne, jednak je to prezvaty kod z projektu atmelu, kde jsou jen
>>> upraveny Row a Columns pocty adres, refresh je po 7uS coz je pro tu
>>> pamet 4Mx32 az dost...  A hlavne testovaci program je jednoducha smycka
>>> co blika diodama a probehne hodnekrat za sec. takze by se to
>>> refreshovalo snad i samo.
>>> Prekvapuje me, ze vadi sahnuti na pouzdro bez dotyku cehokoli 
>>> vodiveho...
>>> Jinak program bezi uz 10h bez problemu v SDRAM.
>> _______________________________________________
>> HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>> Hw-list na list.hw.cz
>> http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list
>
>_______________________________________________
>HW-list mailing list  -  sponsored by www.HW.cz
>Hw-list na list.hw.cz
>http://list.hw.cz/mailman/listinfo/hw-list