Spinaci tranzistor 3A

Jirka zaloha na volny.cz
Pondělí Září 24 12:33:07 CEST 2012


Já tedy raději topím třeba do (externích) keramických odporů, které jsou 
velmi odolné a reálně mohou mít i stovky stupňů. Případně do spirál 
nuceně chlazených vzduchem (to v jednom případě 2,5 kW akutesteru ;-) ).

Prostě spínač se vždy snažím udržet co možná nejchladnější. Je to takový 
návyk...

---
Jirka

> Zpavidla vyhravaji MOSFETy, ale zrovna v tomto pripade by tomu tak byt
> nemuselo. Schema co pan kolega poslal, naznacuje, ze jde o nejaky
> udelator na testovani zdroju. Takze ten vykon protopi stejne a je
> celkem jedno, jak bude rozdelen mezi spinac a zatezovaci R. Takze
> nejakej BD677 by mohl byt docela dobrou volbou. Samozrejme, pokud by
> nevadila jeho pomalost nebo mene stabilni proud v sepnutem stavu.
>
> S pozdravem Pavel
>   mailto:gatilo + zavinac + centrum.cz
>
> --
> Jirka napsal:
>
>> Kromě toho (připomínám jen pro úplnost) při použití bipolárního T
>> potřebujete značný výkon pro otevřený stav, takže 1) musí být k
>> dispozici, 2) protopíte ho zpravidla na předřadných odporech.
>
>> Pane Lukeshi, mám rád staré osvědčené technologie, materiály a věci a
>> "in" mě naprosto nezajímá (pokud přímo nenasírá), ale v souboji MOSFET
>> vs. bipolár u mě zpravidla vítězí MOSFET.
>
>> ---
>> Jirka
>
>>> No, pro uvažovaný proud s běžnými NPN nedosáhnete dostatečně malého
>>> Uces, takže budete asi muset chladit. Kromě toho i bipolárnímu T při
>>> větších proudech a krátkých rozpínacích časech musíte z báze odvádět
>>> nahromaděné nosiče, takže chce též tvrdé buzení.
>>>
>>> Ovšem použitý IRLR024 má katalogově Rdson 100 mOhm, takže na něm při
>>> otevření bude cca 900 mW, to taky není úplně málo, pokud není chlazen
>>> (připájen na dostatečně velkou plochu Cu fólie).
>>>
>>> Cgs má typicky 870 pF, což se 100 Ohm budícího odporu (reálně bude víc,
>>> protože výstup PICu má též nějakou impedanci) dává min. 87 ns časovou
>>> konstantu pro sepnutí/vypnutí (vliv Cdg zanedbávám). Tam tedy problém
>>> moc nebude.
>>>
>>> Dal bych MOSFET s menším Rdson a protože bude mít větší Cgs, tak bych ho
>>> budil z totem-pole transistorové kombinace (obrázek jsem už uváděl),
>>> zapojené mezi MCU a MOSFET. Odpor do G bych pak volil menší, aby se
>>> časová konstanta výrazně neprodloužila.
>>>
>>> ---
>>> Jirka
>>>
>>>> Někdy je lepší, než složitě řešit, aby neodešel FET, dát tam obyčejný NPN,
>>>> ale to zase není dost IN


Další informace o konferenci Hw-list