Paralelizace vyk. prvku

[Petr Kubáč]

> MOSFETy, na rozdil od bipolaru, jsou snadno dostupne, i s takovymi
> parametry, aby stacil jeden kousek a nemusel jste resit paralelni
> razeni, byt i to ma sve vyhody.

Jenom zvazte jestli se vydate cestou N Mosfetu a budete resit otazku kde 
ziskat napeti 10V nad vystupnim - pro buzeni gate nebo cestou P Mosfetu, 
ktere zdaleka v tak uzasnem vyberu nejsou ale zato budete resit otazku 
minimalniho vystupniho napeti abyste nemuseli zaporne prepeti pro gate 
generovat nabojovymi pumpami

V kazdem pripade - na rozdil od MOSFETU-  razeni bipolarnich tranzistoru 
paralelne byva ozehave i s odporem v emitoru -  protoze maly odpor = slaba 
regulace a velky odpor =  velka ztrata a nutnost paralelizovat o to vice 
prvku.

Takze - "zadny obed neni zadarmo"

Zdravi Petr Kubac