rychlost spinani diody

Jan Waclawek konfera na efton.sk
Neděle Květen 8 12:09:07 CEST 2011


>No, já bych asi ani tak neøe¹il, co se dìje (wek by nám to hbitì objasnil

wek hbite sahl po knizce Vobecky/Zahlava "Elektronika, soucastky a obvody, principy a priklady", pokial viem, pani su z Elektrotechnickej fakulty CVUT, knizku recenzoval prof.Helmar Frank, mozno to niekomu nieco hovori. Jedna sa viacmenej o ucebnicu zakladneho kurzu o elektronickych prvkoch (tipujem, ze sa na EF CVUT aj na tento ucel pouziva, lebo je na tento ucel fakt dost dobra).

No a na str. 80 (toto je 2. vydanie) sa hovori: "Vedle doby zaverneho zotaveni trr, charakterizujici dobu "vypnuti" diody muze byt dulezitym parametrem take doba "sepnuti" reprezentovana dobou *propustneho zotaveni* tfr. V pripade "kratke" diody z obr.4.1 bude tfr zanedbatelna, v pripade vykonovych diod o tlaoustce v radu stovek um jako je dioda P-i-N z obr.4.20 vsak muze dosahnout radu us. Definice tfr vyplyva z obr.4.18 (na ktorom je priebeh V a A pocas zopinania, A narasta a na V je obdobny pik ako popisoval pan kolega Andel, amplitudy asi 3V a trvania asi 5us, pozn.wek), z ktereho je rovnez patrny prekmit napeti diody na velmi vysokou hodnotu Ufr. Je to dano tim, ze dokud neni dosazeno vysoke urovne injekce minoritnich elektronu a der, predstavuje dioda velky odpor, na kterem dochazi k narustu napeti nekolkanazobne prevysujiciho ustalenou stejnosmernou hodnotu Uf. Jakmile je dioda dostatecne zaplavena ("zvodivena") nosici naboje, coz se projevi narustem proudu, klesa na n
 i ubytek napeti."

Ja by som k tomu dodal len to, ze:

1. samozrejme ak sa veci zenu na hranu, tak vsetko okolo p-n (alebo Schottky) priechodu  (t.j. staticke, dynamicke vlastnosti, teplotne zavislosti) zavisi od konkretnej konstrukcie a to nielen polovodicovych struktur (t.j. ako sa obvykle kresli, 1D priebeh koncentracii primesi, co uz samo osebe nie je trivialne), ale aj od 3D vytvarovania polovodica a privodov, od roznych povrchovych javov, konstrukcie a technologie kontaktov a privodov a puzdra atd. Bohuzial, vyrobcovia sa (z pochopitelneho pudu sebazachovy) snazia specifikovat co najmenej parametrov pre kazdu konkretnu suciastku, aj ked nesporne tieto javy studuju a zrejme u vagonovych odberatelov aj spolupracuju viac nez smerom k "beznej verejnosti" (to je na margo neexistencie dat v datasheetoch)

2. samozrejme je spominany jav zavisly od amplitudy a strmosti hrany pulzu. Ak je dioda v zavere (t.j. je OPN uplne roztiahnuta a vycerpana) a potom nahle prepnuta do priepustneho smeru, tak to nainjektovanie nosicov bude trvat vyrazne (radovo) dlhsie, nez ak na tej diode bolo predtym nulove napatie.

3. urcite tu hraju svoju rolu aj parazitne indukcnosti (kde znova strmost hrany tiez zahra)

4. zda sa mi (aj ked moje znalosti na dokladne posudenie tohoto nestacia), ze reverse recovery bude dominovana difuziou nosicov v OPN, kym forward recovery bude dominovany driftom nosicov z p/n do OPN, co by mohlo vysvetlit potencialne rozdielne trvanie tychto dvoch javov; aj ked v konecnom dosledku ide o presuv nejakeho naboja odniekial niekam

5. kapacitu prechodu by som sem neplietol, lebo to je len taky "symptomaticky" opis toho presuvania nabojov, ktory ma iny fyzikalny zaklad nez skutocna kapacita normalneho kondenzatora. Funguje to dobre pri "small signal" modeloch, t.j. ak je dioda pouzita ako varikap s malou amplitudou striedaveho signalu (ktory "vidi" tu kapacitu) na pomerne velkom jednosmernom napati; ale ta predstava uz nie je celkom vhodna pri takychto "velkosignalovych" zalezitostiach.

wek




Další informace o konferenci Hw-list