paralelni chod diod

Jirka zaloha na volny.cz
Čtvrtek Srpen 25 13:21:29 CEST 2011


Protože u MOSFETu nejde o teplotní závislost P-N přechodu, ale kanálu, 
což je prostě zjednodušeně řečeno materiál jako každý jiný (nějak 
dotovaný Si).

---
Jirka

> ale
> premyslel jsem proc by to melo byt u MOSFETU jinak.



Další informace o konferenci Hw-list