N-MOS tok prudu S -> D

[Jan Waclawek]

>Dòa 21. decembra 2010 8:55, Jan Waclawek <konfera at efton.sk> napísal/a:
>>>Je to v pooádku. Kdyby tam nebyla substrátová dioda (jako u J-FETu), byl
>>>by ten FET symetrický.
>>
>> No, po prve, nie je to *substratova* dioda,
>
>Ako je to teda? Je mi jasne, ze dioda tam nie je vkladana nasilu, 

No praveze je. 

Klasicky (lateralny) MOSFET ju nema, ba dokonca sa nerobila ani na prvych vykonovych MOSFEToch (V-FETy, ak si este pamatas, aj Tesla ku koncu nejake robila). Tie boli fajnove a odchadzali od uplne vsetkeho, napriklad od prudkych spiciek, ktore dokazali kapacitne naindukovat do kanalovej oblasti dostatok nosicov naboja na to, aby sa zopol parazitny bipolarny tranzistor (a ten uz nejde vypnut, nasledkom coho je typicky termalna destrukcia suciastky).
Ukazalo sa, ze nedostatky vytvorenia tej diody (t.j. vodiveho spojenia sourcovej oblasti s kanalovou oblastou - ta dioda ma velku plochu z coho vyplyvaju jej zle dynamicke vlastnosti, navyse ten MOSFET uz odvtedy nebol symetricky) su bohato vyvazene odolnostou voci tym necakanym destrukciam v typickych aplikaciach pre MOSFETy (ktore su typicky spinacie), takze uz to odvtedy robi tak uplne kazdy a poklada sa to za "intrinzicke".

Pozri napriklad www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-558.pdf str.2 na spodku.


>Dioda sa
>oznacuje ako body-drain diode. Material drainu zase ako substrat...
>Napr. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf


No, terminologia je svina a teda si viem predstavit, ze sa to naozaj takto bezne pouziva; podla mna je to vsak neadekvatne a vhodnejsie je ju oznacovat ako paraziticka S-D dioda. Skutocny drain je totiz ta malo dopovana (epitaxna) oblast, ktora je narastena na silne dopovanom substrate, na ktorom je potom napareny drainovy kontakt. Takze ta dioda nie je z kanalovej oblasti do substratu, ale do toho malo dopovaneho drainu; inak by ta dioda bola ozaj zla (mala male prierazne napatie vzhladom na vysoku dopaciu a relativne vysoku hustotu poruch v substrate).


wek