Paramety tranzistoru SOA?

[Novotny Pavel]

Predpokladejme, ze spiname 12V 10A s frekvenci 20kHz tj. periodou 25us, strida 50/50. 
Zjednodusene se da rici, ze po dobu spinani je T napul otevren a prochazi jim polovicni proud a napeti tzn. po dobu spinani na nem je ztrata
12/2 * 10/2 = 30W
Jestlize doba sepnuti bude 0,37us a perioda 25us je pomer 0,37/25=0,0148  tzn. prumerne ztraty spinanim 30*0,0148=0,444W
Jestlize doba sepnuti bude 0,037us a perioda 25us je pomer 0,037/25=0,00148  tzn. prumerne ztraty spinanim 30*0,0148=0,0444W
K temto ztratam samozrejme jeste pribudou ztraty na odporu pri sepnutem stavu tj. I^2 * RdsOn * strida  10^2 * 7.8m=0.78W
Celkove ztraty jsou pak souctem vyse uvedeneho.

PN

 


>---------------------------------------------------------
>Od: Dolnsky Pavel
>Přijato: 7.9.2009 11:10:13
>Předmět: Paramety tranzistoru SOA?
>
>Aktualne se snazim presne dopocitat rozdilu ve ztratach ruzne rychlem spinani.
>V DS se uvadi
>Total Gate Charge 37nC
>Input Capacitance 3480pF
>Output Capacitance 870pF
>
>Pokud vyjdu z naboje, ktery musim dodat na nabiti Gate tak proudem 1A budu gate nabijet 37ns, proudem 100mA 370ns.
>Jak je to s vypoctem ztrat pri nabijeni Gate?
>Chci se dopocitat zda se "vyplati" resit nejaky MOSFET driver nebo vystacim s tim co mam, tj. tak 100mA pro 4.5V.
>
>Predbezne jsem koukal na dvojte drivery od Microchip TC4427COA cca 1.5A, ale na tranzistor vychazi cena cca 7Kc a ploch 1/2 SO8.
>
>http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/21422D.pdf
>
>Pavel
>
>
>
>
>