Paramety tranzistoru SOA?

[Dolnsky Pavel]

Cim to budit to je dalsi otazka, tranzisotru bude 128ks, max soucastne sepnutych 16ks.
Tolika vystupove MCU se bezne nevidi, tzn. mame navrzene hradlove pole, vystupy jsou sice posileny , ale i tak, zaporne vypinaci napeti se rozhodne nekona.
Tedy, existuji nejake integrovane budice MOSFET, rekneme 8ks budicu v jednom pouzdru?

Pavel
4




>IMO bude také záležet na tom, čím to budete spínat a vypínat - při 
tvrdém zdroji a velkém napětí Ugs a záporném napětí na vypínání mohou 
být ztráty spínáním minimální. Když to budete honit přímo z nějakého 
jednočipu na velkou frekvenci, tak na výstupu nebude obdelník a ztráty 
úměrně tomu vzrostou. Dá se to i přibližně vypočítat Q = CU = It. C je 
v katalogovém listu, U je napětí sepnutí, I je proud, který j zdroj 
schopný dodat a t čas sepnutí, po který je ztráta cca. P = 0,5 * U * I. 
Ale ten výpočet je dost "nahrubo".
Zato v induktivní zátěži bych neviděl problém - prostě se tam dá vhodný 
ochranný obvod, který by tam měl být tak jako tak.
Miroslav Mraz napsal(a):
> Pro první přiblížení lze předpokládat, že ztrátový výkon při spínání
> bude menší než P = Umax*Imax*(tr + tf)/T, T je perioda spínání. Ale dost
> to bude záležet na tom, co vlastně spínáte - odporovou či indukční
> zátěž.
> Mrazík
>
> Dolnsky Pavel píše v So 05. 09. 2009 v 22:14 +0200:
> 
>> U max neprekrocim 24 i 12 < 30
>> Imax , nejspise take ne pokud chci spinat max 10A a oni uvadi 13A
>> dale je to ale otazka
>> ztratovy vykon, v sepnutem stavu mam pri 10A RDS 7.5mOhmu, to dava 0.75W pri stride 50/50 0.375W
>> Nicmen netusim jak spocitat ztratovy vykon pri spinani ani teplotu prechodu.
>>
>> Pavel